[發(fā)明專利]具有經改進接觸引腳的QFN封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580061929.8 | 申請日: | 2015-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN107112245A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | R·紀唐龍;W·諾克迪;P·蒲涅亞波 | 申請(專利權)人: | 密克羅奇普技術公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/66;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人: | 沈錦華 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 接觸 引腳 qfn 封裝 | ||
1.一種用于制造呈扁平無引線封裝的集成電路IC裝置的方法,所述方法包括:
將IC芯片安裝到引線框架的中心支撐結構上,所述引線框架包含:
多個引腳,其從所述中心支撐結構延伸;及
棒條,其連接所述多個引腳、遠離所述中心支撐結構;
將所述IC芯片接合到所述多個引腳中的至少一些引腳;
囊封所述引線框架及經接合IC芯片;
在不將所述經接合IC封裝與所述棒條分離的情況下使用第一鋸切寬度沿著一組切割線向所述經囊封引線框架中鋸切階狀切口,借此暴露所述多個引腳的至少一部分;
對所述多個引腳的所述經暴露部分進行電鍍;及
通過使用小于所述第一鋸切寬度的第二鋸切寬度在所述組切割線處鋸切穿過所述經囊封引線框架而切割所述IC封裝以使其擺脫所述棒條。
2.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
執(zhí)行隔離切割以在不將所述IC封裝與所述引線框架分離的情況下將所述IC封裝的個別引腳隔離;及
在所述隔離切割之后執(zhí)行對所述經隔離個別引腳的電路測試。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其進一步包括:
執(zhí)行隔離切割以在不將所述IC封裝與所述引線框架分離的情況下隔離所述IC封裝的個別引腳,其中所述隔離切割是以小于所述第一鋸切寬度的第三鋸切寬度執(zhí)行;及
在所述隔離切割之后執(zhí)行對所述經隔離個別引腳的電路測試。
4.根據權利要求3所述的方法,其進一步包括使用線接合將所述IC芯片接合到所述多個引腳中的至少一些引腳。
5.根據前述權利要求中任一權利要求所述的方法,其中所述第一鋸切寬度是大約0.40mm。
6.根據前述權利要求中任一權利要求所述的方法,其中所述第二鋸切寬度是大約0.30mm。
7.根據前述權利要求中任一權利要求所述的方法,其中所述第三鋸切寬度大約介于0.24mm與0.30mm之間。
8.根據前述權利要求中任一權利要求所述的方法,其中所述階狀切口的深度是大約0.1mm到0.15mm且所述引線框架具有大約0.20mm的厚度。
9.一種用于將呈扁平無引線封裝的集成電路IC裝置安裝到印刷電路板PCB上的方法,所述方法包括:
將IC芯片安裝到引線框架的中心支撐結構上,所述引線框架包含:
多個引腳,其從所述中心支撐結構延伸;及
棒條,其連接所述多個引腳、遠離所述中心支撐結構;
將所述IC芯片接合到所述多個引腳中的至少一些引腳;
囊封所述引線框架及經接合IC芯片;
在不將所述經接合IC封裝與所述棒條分離的情況下使用第一鋸切寬度沿著一組切割線向所述經囊封引線框架中鋸切階狀切口,借此暴露所述多個引腳的至少一部分;
對所述多個引腳的所述經暴露部分進行電鍍;
通過使用小于所述第一鋸切寬度的第二鋸切寬度在所述組切割線處鋸切穿過所述經囊封引線框架而切割所述IC封裝以使其擺脫所述棒條;及
使用回流焊接方法將所述IC封裝的所述多個引腳連結到所述PCB上的相應接觸點以將所述扁平無引線IC封裝附接到所述PCB。
10.根據權利要求9所述的方法,其進一步包括:
執(zhí)行隔離切割以在不將所述IC封裝與所述棒條分離的情況下將所述IC封裝的個別引腳隔離;及
在所述隔離切割之后執(zhí)行對所述經隔離個別引腳的電路測試。
11.根據權利要求9或10所述的方法,其進一步包括:
執(zhí)行隔離切割以在不將所述IC封裝與所述棒條分離的情況下隔離所述IC封裝的個別引腳,其中所述隔離切割是以小于所述第一鋸切寬度的第三鋸切寬度執(zhí)行;及
在所述隔離切割之后執(zhí)行對所述經隔離個別引腳的電路測試。
12.根據權利要求11所述的方法,其進一步包括使用線接合將所述IC芯片接合到所述多個引腳中的至少一些引腳。
13.根據前述權利要求9到12中任一權利要求所述的方法,其中所述第一鋸切寬度是大約0.40mm。
14.根據前述權利要求9到13中任一權利要求所述的方法,其中所述第二鋸切寬度是大約0.30mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





