[發明專利]虛擬接地非易失性存儲器陣列

有效

• 申請號: 201580061556.4
• 申請日: 2015-11-10
• 公開（公告）號: CN107004681B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: H.V.陳;H.Q.阮;N.杜
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11519;H01L29/423;H01L29/788
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;鄭冀之

一種存儲器裝置具有存儲器單元對，該存儲器單元對均具有單個連續溝道區、溝道區的第一部分和第二部分上方的第一浮柵和第二浮柵、溝道區的介于溝道區的第一部分和第二部分之間的第三部分上方的擦除柵以及在第一浮柵和第二浮柵上方的第一控制柵和第二控制柵。對于存儲器單元對中的每一者，第一區電連接到同一有源區中的相鄰存儲器單元對的第二區，并且第二區電連接到同一有源區中的相鄰存儲器單元對的第一區。

相關專利申請

本申請要求2014年11月12日提交的美國臨時申請No.62/078,873的權益，并且該美國臨時申請以引用方式并入本文。

技術領域

本發明涉及非易失性存儲器陣列。

毌背景技術

分裂柵非易失性閃存單元是熟知的。例如，美國專利6,747,310公開了此類存儲器單元，所述存儲器單元具有源極區和漏極區，所述源極區和漏極區在其間限定溝道區；在溝道區的一部分上面的選擇柵；在溝道區的另一部分上面的浮柵；以及在源極區上面的擦除柵。存儲器單元成對形成，其共享共同源極區和共同擦除柵，其中每個存儲器單元在襯底中具有其自身的在源極區和漏極區之間延伸的溝道區(即，對于每對存儲器單元存在兩個單獨的溝道區)。以給定列連接用于存儲器單元的全部控制柵的線垂直地走向。對于連接擦除柵和選擇柵的線，以及源極線，同樣如此。連接用于每行存儲器單元的漏極區的位線水平地走向。

鑒于用于每個單元的電極(源極、漏極、選擇柵、控制柵和擦除柵)的數目，以及用于每對存儲器單元的兩個單獨溝道區，配置并形成所有各種線均連接到這些電極的架構和陣列布局可能過于復雜并且難以實現，特別是隨著臨界尺寸不斷縮小。

發明內容

本發明通過一種存儲器裝置解決了以上提到的問題和需要，該存儲器裝置包括：具有第一導電類型的半導體材料襯底；以及形成在所述襯底上的間隔開的隔離區，所述隔離區彼此基本上平行并沿第一方向延伸，其中，每對相鄰的隔離區之間的有源區也沿所述第一方向延伸。所述有源區中的每一者包括多個存儲器單元對。所述存儲器單元對中的每一者包括：第一區和第二區，其在所述襯底中間隔開并且具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型，其中，所述襯底中的連續溝道區在所述第一區和所述第二區之間延伸；第一浮柵，其設置在所述溝道區的與所述第一區相鄰的第一部分上方并且與所述第一部分絕緣；第二浮柵，其設置在所述溝道區的與所述第二區相鄰的第二部分上方并且與所述第二部分絕緣；擦除柵，其設置在所述溝道區的介于所述溝道區的所述第一部分和所述溝道區的所述第二部分之間的第三部分上方并且與所述第三部分絕緣；第一控制柵，其設置在所述第一浮柵上方并且與所述第一浮柵絕緣；以及第二控制柵，其設置在所述第二浮柵上方并且與所述第二浮柵絕緣。

所述存儲器單元對被配置成陣列，使得對于所述存儲器單元對中的每一者，所述溝道區沿所述第一方向從所述第一區延伸到所述第二區，所述第一區與同一有源區中的相鄰存儲器單元對的第二區電連接，并且所述第二區與同一有源區中的相鄰存儲器單元對的第一區電連接。