[發明專利]虛擬接地非易失性存儲器陣列

有效

• 申請號: 201580061556.4
• 申請日: 2015-11-10
• 公開（公告）號: CN107004681B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: H.V.陳;H.Q.阮;N.杜
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11519;H01L29/423;H01L29/788
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;鄭冀之

1.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

第一導電類型的半導體材料襯底；

形成在所述襯底上的間隔開的隔離區，所述隔離區彼此基本上平行并沿第一方向延伸，其中，每對相鄰的隔離區之間的有源區也沿所述第一方向延伸；

所述有源區中的每一者包括多個存儲器單元對，所述存儲器單元對中的每一者包括：

第一區和第二區，其在所述襯底中間隔開并且具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型，其中，所述襯底中的連續溝道區在所述第一區和所述第二區之間延伸；

第一浮柵，其設置在所述溝道區的與所述第一區相鄰的第一部分上方并且與所述第一部分絕緣；

第二浮柵，其設置在所述溝道區的與所述第二區相鄰的第二部分上方并且與所述第二部分絕緣；

擦除柵，其設置在所述溝道區的介于所述溝道區的所述第一部分和所述溝道區的所述第二部分之間的第三部分上方并且與所述第三部分絕緣；

第一控制柵，其設置在所述第一浮柵上方并且與所述第一浮柵絕緣；

第二控制柵，其設置在所述第二浮柵上方并且與所述第二浮柵絕緣；

其中，所述存儲器單元對被配置成陣列，使得對于所述存儲器單元對中的每一者，所述溝道區沿所述第一方向從所述第一區延伸到所述第二區，所述第一區與同一有源區中的相鄰存儲器單元對的第二區電連接，并且所述第二區與同一有源區中的相鄰存儲器單元對的第一區電連接；

多條第一控制柵線，其沿與所述第一方向正交的第二方向延伸并且均與所述有源區中的每一者中的所述第一控制柵中的一個電連接；

多條第二控制柵線，其沿所述第二方向延伸并且均與所述有源區中的每一者中的所述第二控制柵中的一個電連接；

多條位線，其沿所述第二方向延伸并且均與所述有源區中的每一者中的所述第一區中的一個和所述第二區中的一個電連接；

多條擦除柵線，其沿所述第一方向延伸并且均與所述有源區中的一個中的所述擦除柵電連接。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述擦除柵線是沿所述第一方向在所述有源區上方延伸的金屬線并且經由垂直地延伸的觸點電連接到所述擦除柵。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述擦除柵中的每一者延伸到所述隔離區中的一個中，并且其中，所述擦除柵線是沿所述第一方向在所述隔離區上方延伸的金屬線并且經由所述隔離區中的垂直地延伸的觸點電連接到所述擦除柵。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括：

控制電路，其被配置成在所述存儲器單元中所選擇的一者的讀取操作期間：

向與所選擇的存儲器單元電連接的位線施加正電壓；

向與所選擇的存儲器單元的所述擦除柵電連接的所述擦除柵線施加正電壓；

向與所選擇的存儲器單元的所述控制柵電連接的所述控制柵線施加正電壓；

向與所選擇的存儲器單元配對的存儲器單元的所述控制柵電連接的所述控制柵線施加正電壓；

向與不包含所選擇的存儲器單元的存儲器單元對的所述控制柵電連接的所述控制柵線施加零電壓；以及

向與并非是所選擇的存儲器單元的存儲器單元電連接的所述位線施加零電壓。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括：

控制電路，其被配置成在所述存儲器單元中所選擇的一者的編程操作期間：

向與所選擇的存儲器單元電連接的位線施加正電壓；

向與所選擇的存儲器單元的所述擦除柵電連接的所述擦除柵線施加正電壓；

向與所選擇的存儲器單元的所述控制柵電連接的所述控制柵線施加正電壓；

向與所選擇的存儲器單元配對的存儲器單元電連接的所述位線施加電流；以及

向與所選擇的存儲器單元配對的所述存儲器單元的所述控制柵電連接的所述控制柵線施加正電壓。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，所述控制電路還被配置成：

向與和包含所選擇的存儲器單元的存儲器單元對相鄰的存儲器單元對的所述控制柵電連接的所述控制柵線施加負電壓；以及

向與不包含所選擇的存儲器單元的存儲器單元對的控制柵電連接并且不與包含所選擇的存儲器單元的存儲器單元對相鄰的所述控制柵線施加零電壓。