[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580061456.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107004429B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 立花淳一;遠(yuǎn)藤哲雄;尾崎知惠;照井輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號(hào): | G11B5/667 | 分類號(hào): | G11B5/667;G11B5/65;G11B5/725;G11B5/738;G11B5/78 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;謝雪閩 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 記錄 介質(zhì) | ||
一種磁記錄介質(zhì)包括:具有柔性的長(zhǎng)形基底基板、軟磁性層和磁記錄層。所述基底基板的長(zhǎng)邊方向的矩形比等于或者小于所述基底基板的短邊方向的矩形比。所述基底基板的長(zhǎng)邊方向的矩形比等于或者小于30%。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)。具體來講,本發(fā)明涉及包括軟磁性底層的磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)
近年來,由于信息技術(shù)(IT)社會(huì)的發(fā)展、圖書館和檔案館等等的計(jì)算機(jī)化、以及商業(yè)文檔的長(zhǎng)期保存,對(duì)增大用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的磁帶介質(zhì)的容量的需求增加。為了滿足這種需求,提出了一種垂直磁記錄介質(zhì),其中使具有高磁各向異性的CoCrPt系金屬材料具有在相對(duì)于非磁性基底的表面垂直的方向上的晶體取向性。
例如,專利文獻(xiàn)1公開了一種作為垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì),其中在非磁性基底上依次至少形成非晶形層(amorphous layer)、籽晶層、基礎(chǔ)層、磁性層、磁性層和保護(hù)層。此外,專利文獻(xiàn)2公開了一種包括軟磁性底層的垂直磁記錄介質(zhì)。
專利文獻(xiàn)列表
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利未審公開號(hào)2005-196885
專利文獻(xiàn)2:日本專利未審公開號(hào)2002-279615
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明旨在提供一種具有出色的記錄和再現(xiàn)特性的磁記錄介質(zhì)。
問題的解決方案
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種磁記錄介質(zhì),包括
具有柔性的長(zhǎng)形基底基板、軟磁性層和磁記錄層,
其中所述基底基板的長(zhǎng)邊方向的矩形比等于或者小于30%。
本發(fā)明的效果
如上所述,根據(jù)本發(fā)明,可以提供具有出色的記錄和再現(xiàn)特性的磁記錄介質(zhì)。
附圖說明
[圖1]圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的形狀的一個(gè)示例的平面圖。圖1B是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的剖視圖。
[圖2]圖2是示出濺射裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的示意圖。
[圖3]圖3A是當(dāng)從箭頭C1的方向來看時(shí)圖2中示出的濺射裝置的一部分的放大平面圖。圖3B是當(dāng)從箭頭C2的方向來看時(shí)圖2中示出的濺射裝置的一部分的放大側(cè)視圖。
[圖4]圖4是示出磁場(chǎng)定向裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的透視圖。
[圖5]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的剖視圖。
[圖6]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的剖視圖。
[圖7]圖7A是示出實(shí)施例3至6中的磁帶的磁滯回線的圖。圖7B是示出比較例1至3中的磁帶的磁滯回線的圖。圖7C是示出實(shí)施例1、2、7、8和比較例4中的磁帶的磁滯回線的圖。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明中,基底基板的長(zhǎng)邊方向的矩形比等于或者小于基底基板的短邊方向的矩形比。這里,矩形比是在磁記錄介質(zhì)的狀態(tài)下測(cè)量的矩形比。
在軟磁性層是單層結(jié)構(gòu)的情形中,優(yōu)選的是,基底基板的長(zhǎng)邊方向的矩形比小于基底基板的短邊方向的矩形比。在這種情形下,基底基板的長(zhǎng)邊方向的矩形比等于或者小于30%,優(yōu)選的是等于或者小于20%,更優(yōu)選的是等于或者小于10%,尤其優(yōu)選的是等于或者小于5%。
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