[發明專利]磁記錄介質

有效

• 申請號: 201580061456.1
• 申請日: 2015-11-16
• 公開（公告）號: CN107004429B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 立花淳一;遠藤哲雄;尾崎知惠;照井輝
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667;G11B5/65;G11B5/725;G11B5/738;G11B5/78
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;謝雪閩

1.一種磁記錄介質， 包括：

具有柔性的長形基底基板、軟磁性層、磁記錄層和設置在所述軟磁性層和所述磁記錄層之間的基礎層，其中，

所述基礎層包括第一基礎層和第二基礎層，

所述第一基礎層設置在所述軟磁性層側，并且包含Ti和Cr，

所述第二基礎層設置在所述磁記錄層側，并且包含Ni和W，

所述磁記錄介質的長邊方向的矩形比等于或者小于所述磁記錄介質的短邊方向的矩形比，以及

所述磁記錄介質的長邊方向的矩形比等于或者小于30％。

2.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中所述磁記錄介質的長邊方向和短邊方向的矩形比都等于或者小于10％。

3.根據權利要求2所述的磁記錄介質，其中所述磁記錄介質的長邊方向和短邊方向的矩形比都等于或者小于5％。

4.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中所述軟磁性層的難磁化軸的方向是所述磁記錄介質的長邊方向。

5.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中所述軟磁性層包括第一軟磁性層、中間層和第二軟磁性層。

6.根據權利要求5所述的磁記錄介質，其中所述第一軟磁性層和所述第二軟磁性層的難磁化軸的方向都是所述基底基板的長邊方向。

7.根據權利要求1所述的磁記錄介質，還包括：在所述基礎層和所述磁記錄層之間提供的中間層。

8.根據權利要求7所述的磁記錄介質，其中所述中間層包含Ru。

9.根據權利要求7所述的磁記錄介質，其中所述中間層包括第一中間層和第二中間層。

10.根據權利要求9所述的磁記錄介質，其中所述第一中間層和所述第二中間層包含Ru。

11.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中所述記錄層具有粒狀結構，在所述粒狀結構中，包含Co、Pt和Cr的粒子被氧化物分隔。

12.根據權利要求1所述的磁記錄介質，還包括在所述基底基板和所述軟磁性層之間提供的基礎層，

其中，所述基礎層具有非晶態，并且包含Ti和Cr。

13.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中所述基底基板是膜。

14.根據權利要求1所述的磁記錄介質，還包括：潤滑層，所述潤滑層包含至少一種由下面的通式(1)表示的羧基化合物，

通式(1)：

[化學式1]

在該通式(1)中，Rf是非取代或者取代的、以及飽和的或者不飽和的含氟烴基或者烴基，Es是酯鍵，R是非取代或取代的、以及飽和的或者不飽和的烴基且可以省略。

15.根據權利要求1所述的磁記錄介質，還包括：潤滑層，所述潤滑層包含由下面的通式(2)和(3)表示的羧基化合物之一或者兩者，

通式(2)：

[化學式2]

在該通式(2)中，Rf是非取代的或取代的、以及飽和的或不飽和的含氟烴基或者烴基，

通式(3)：

[化學式3]

在該通式(3)中，Rf是非取代的或取代的、以及飽和的或不飽和的含氟烴基或者烴基。

16.根據權利要求15所述的磁記錄介質，其中Rf具有6至50的總碳數，并且具有4至20的氟烴基的總碳數，并且是飽和或者不飽和的含氟烴。