[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580061372.8
• 申請(qǐng)日: 2015-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107112360B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齋藤順;永岡達(dá)司;青井佐智子;渡邊行彥;宮原真一朗;金村高司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豐田自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王兆陽(yáng);蘇卉

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

半導(dǎo)體基板，在表面形成有溝槽；

柵極絕緣膜，覆蓋所述溝槽的內(nèi)表面；及

柵極電極，配置在所述溝槽的內(nèi)部，

所述半導(dǎo)體基板具備：

第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域，與覆蓋所述溝槽的兩側(cè)面的所述柵極絕緣膜相接；

第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域，形成在所述第一區(qū)域的下方，且與覆蓋所述溝槽的兩側(cè)面的所述柵極絕緣膜相接；及

第一導(dǎo)電型的第三區(qū)域，形成在所述第二區(qū)域的下方，且與覆蓋所述溝槽的兩側(cè)面和底面的所述柵極絕緣膜相接，

所述溝槽的底面以在短邊方向上中心部比周緣部向上突出的方式形成，

覆蓋所述周緣部的所述柵極絕緣膜的厚度比覆蓋所述中心部的所述柵極絕緣膜的厚度厚，

所述溝槽的底面具備從所述中心部向所述溝槽的一個(gè)側(cè)面延伸的第一斜面和從所述中心部向所述溝槽的另一個(gè)側(cè)面延伸的第二斜面，

所述第一斜面與所述第二斜面所成的角度為90°以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第二區(qū)域具備在從所述柵極絕緣膜分離的位置向所述第三區(qū)域側(cè)突出的突出區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述溝槽的底面形成在比所述突出區(qū)域的下端淺的位置。