[發明專利]植入式電極裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201580061052.2
• 申請日: 2015-11-02
• 公開（公告）號: CN107205680B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: K·文德爾-米托拉吉
• 申請（專利權）人: 腦部護理有限公司
• 主分類號: A61B5/268
• 分類號: A61B5/268;A61B5/263;A61B5/271;A61B5/293
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 羅婷婷;錢孟清

1.一種植入式電極裝置(1)，包含：

載體(18)，所述載體(18)由聚合物材料制成，

其中該載體(18)是柔性且電隔離的，

至少一個測量電極(2)，所述至少一個測量電極(2)由位于所述載體(18)上的導電墊(5)所形成，

其中所述導電墊(5)具有接觸表面(6)，

至少一個導電跡線(3)，以及

至少一個導電端子(4)，

其中所述跡線(3)電連接所述測量電極(2)和所述導電端子(4)，

其特征在于

所述植入式電極裝置(1)具有的厚度在從200微米至2500微米的范圍中，并且所述植入式電極裝置(1)進一步包含：

阻障層(8，22)，所述阻障層(8，22)通過覆蓋所述載體的所有表面來圍繞所述載體(18)，其中所述導電墊(5)的接觸表面(6)被暴露于外部環境，其中所述阻障層(8，22)是電隔離且液體不可滲透的，以及

其中，為了降低密封性增長，所述電極裝置(1)在所述測量電極(2)所位于的一側(9)上的表面具有等于或小于60微米的介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度，

或者

所述電極裝置(1)在所述測量電極(2)所位于的一側(9)上的表面具有大于60微米的介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度，且其中所述接觸表面的最大線性延伸(17)等于或小于100微米。

2.根據權利要求1所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述電極裝置(1)在所述測量電極(2)所位于的一側(9)上的表面具有等于或小于50微米的介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度。

3.根據權利要求2所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度等于或小于30微米。

4.根據權利要求1所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述電極裝置(1)在所述測量電極(2)所位于的一側(9)上的表面具有等于或大于5微米的介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度。

5.根據權利要求4所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度等于或大于10微米。

6.根據權利要求4所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述介于所述測量電極(2)的所述接觸表面(6)與不包括所述測量電極(2)的所述電極裝置(1)的所述表面的中線(10)之間的最大谷深度(11)或最大尖峰高度等于或大于12微米。

7.根據權利要求1所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述阻障層(8，22)由聚對二甲苯制成。

8.根據權利要求1所述的植入式電極裝置，其特征在于，所述阻障層覆蓋所述載體的前側、后側及側表面。

9.根據權利要求1所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述載體(18)由硅基的有機聚合物制成。

10.據權利要求1所述的植入式電極裝置(1)，其特征在于，所述載體(18)由聚二甲基硅氧烷制成。