[發(fā)明專利]執(zhí)行封裝后修整的設(shè)備及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580061008.1
• 申請日: 2015-11-09
• 公開（公告）號: CN107148650B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾倫·J·威爾遜;杰佛里·P·萊特
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/20
• 分類號: G11C7/20;G11C11/4072;G11C16/20;G11C29/02;G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/4093;G11C16/06;G11C17/18
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

存儲器裸片可經(jīng)堆疊以形成三維集成電路。舉例來說，穿硅通孔TSV可允許信號垂直地穿過所述三維集成電路。本文中揭示執(zhí)行存儲器裸片的封裝后修整的設(shè)備及方法，其在所述存儲器裸片經(jīng)堆疊之后有利地允許所述存儲器裸片被修整，使得測試及修整特性相對接近實(shí)際上將遇到的情況。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及電子裝置。特定來說，本發(fā)明涉及存儲器裝置。

背景技術(shù)

集成電路的性能受制于許多變量，包含制造工藝可變性。為補(bǔ)償所述制造工藝可變性，通常在制造期間“修整”集成電路。將期望改進(jìn)所述修整過程來提高產(chǎn)量。

附圖說明

提供這些圖式及本文中的相關(guān)聯(lián)描述來說明本發(fā)明的特定實(shí)施例且并非希望為限制性。

圖1說明包含穿硅通孔(TSV)的裸片的堆疊。

圖2說明測試裝備及芯片上系統(tǒng)的實(shí)例。

圖3是包含封裝后修整的存儲器裝置的部分的實(shí)施例的框圖。

圖4是包含封裝后修整及軟封裝后修整的存儲器裝置的部分的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖5是大體上說明用于封裝后修整的過程的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

圖6是大體上說明用于軟封裝后修整的過程的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

具體實(shí)施方式

雖然本文中描述特定實(shí)施例，但是所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將明白本發(fā)明的其它實(shí)施例，包含不提供本文中所闡明的全部優(yōu)勢及特征的實(shí)施例。

圖1說明三維(3D)集成電路100，其包含存儲器裸片102、104、106、108的堆疊及再驅(qū)動層110。雖然說明為具有4個(gè)存儲器裸片102、104、106、108，但是所述堆疊中存儲器裸片的數(shù)目可在兩個(gè)或兩個(gè)以上的非常廣范圍中變化。存儲器裸片102、104、106、108可包含穿硅通孔(TSV)，其允許信號以垂直方式穿過所述堆疊的各種裸片。所述TSV的部分可用以形成用于地址及/或數(shù)據(jù)的總線。這允許存儲器的相對密集封裝用于應(yīng)用(例如，芯片上系統(tǒng)(SOC)或系統(tǒng)級封裝(SIP)應(yīng)用)。所述存儲器可為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、快閃存儲器、電可擦除只讀存儲器(EEPROM)、相變存儲器(PCM)或類似者。

常規(guī)上，存儲器裸片102、104、106、108經(jīng)個(gè)別地測試且如果經(jīng)修整那么在封裝于3D集成電路中之前進(jìn)行修整。然而，歸因于堆疊，制造及測試期間的條件可與現(xiàn)場使用期間遇到的條件大為不同。舉例來說，歸因于來自其它裸片的寄生電容，在連接到所述TSV的接觸件上可存在更多寄生電容。在另一實(shí)例中，待布置于堆疊中的其它存儲器裸片的數(shù)目可能未知。在另一實(shí)例中，存儲器裸片在堆疊內(nèi)的位置可能未知。測試與操作之間的此失配可導(dǎo)致系統(tǒng)級測試期間的故障或現(xiàn)場故障。此類故障可包含(例如)DRAM不在其額定規(guī)格處可靠地操作。本文中揭示執(zhí)行存儲器的封裝后修整的設(shè)備及方法，其有利地允許所述存儲器裸片以更接近或相同于現(xiàn)場使用的配置而修整。這可有利地允許芯片上系統(tǒng)以其全速而非以經(jīng)減小速度或具有額外延時(shí)來操作所述DRAM。

圖2說明測試裝備202及芯片上系統(tǒng)204的實(shí)例。所說明芯片上系統(tǒng)204包含CPU210、DRAM堆疊212、顯示處理器214、接口216、控制器218及音頻處理器220。芯片上系統(tǒng)配置可廣泛變化且可使用額外或更少接口設(shè)備。另外，雖然在DRAM的堆疊的背景中說明DRAM堆疊212，但是還可堆疊其它類型的存儲器(例如快閃存儲器)。當(dāng)在組裝到所述芯片上系統(tǒng)中之后測試并修整DRAM堆疊212時(shí)，可在DRAM堆疊212的所述存儲器裝置將在其中操作的實(shí)際環(huán)境中測試所述存儲器裝置。

測試裝備202可通過(例如)提供測試模式到DRAM堆疊212并監(jiān)測誤差、通過上傳可執(zhí)行代碼用于內(nèi)建自我測試、監(jiān)測總線上的信號及類似者而執(zhí)行存儲器測試。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員熟知存儲器測試技術(shù)。