[發明專利]執行封裝后修整的設備及方法

有效

• 申請號: 201580061008.1
• 申請日: 2015-11-09
• 公開（公告）號: CN107148650B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 艾倫·J·威爾遜;杰佛里·P·萊特
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/20
• 分類號: G11C7/20;G11C11/4072;G11C16/20;G11C29/02;G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/4093;G11C16/06;G11C17/18
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種執行封裝后修整的設備，其包括：

集成電路裸片，其包括：

存儲器單元陣列；

接口，其經配置以允許數據傳送到所述集成電路裸片并從所述集成電路裸片傳送數據；

電路，其經配置以響應于通過所述接口接收的指令而進入軟封裝后修整模式或封裝后修整模式，其中所述電路經配置以：

從所述接口接收一或多個值的第一集合；

在第一鎖存器處存儲一或多個值的所述第一集合；

經由經配置以自所述第一鎖存器接收一或多個值的所述第一集合的解碼器以至少部分基于來自所述第一鎖存器的一或多個值的所述第一集合而調整所述集成電路的關于存儲器特性的特性；

在與所述第一鎖存器通信的熔絲的第一集合中存儲一或多個值的所述第一集合；

從所述接口接收一或多個值的第二集合；

在第二鎖存器處存儲一或多個值的所述第二集合；

在所述軟封裝后修整模式下，使多路復用器選擇在第一輸入接收的來自所述第二鎖存器的一個或多個值的所述第二集合，以提供給所述多路復用器的輸出；

經由進一步經配置以接收所述多路復用器的所述輸出的所述解碼器以至少部分基于來自所述第二鎖存器的一或多個值的所述第二集合而調整所述集成電路的關于所述存儲器特性的所述特性；以及

在熔絲的第二集合中存儲一或多個值的所述第二集合，其中熔絲的所述第二集合與所述第一鎖存器電性隔離，其中，所述電路進一步經配置以在所述封裝后修整模式下使所述多路復用器選擇在第二輸入接收的來自熔絲的所述第二集合的一個或多個值的所述第二集合，以提供給所述多路復用器的所述輸出，或者，使所述多路復用器選擇在所述第一輸入接收的來自所述第二鎖存器的一個或多個值的所述第二集合。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述集成電路裸片進一步包括穿硅通孔，其中所述接口耦合到所述穿硅通孔，使得多個集成電路裸片可堆疊以形成三維集成電路。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述電路經配置以按易失性方式而存儲經調整的所述特性用于經修整配置的測試。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述存儲器單元包括動態隨機存取存儲器DRAM。

5.根據權利要求1所述的設備，其中所述存儲器單元包括快閃存儲器。

6.根據權利要求1所述的設備，其中經調整的所述特性包括地址鎖存器的設置及保持時間、數據鎖存器的設置及保持時間、輸出驅動器驅動強度，或用于延時的時鐘循環的可配置數目。