[發(fā)明專利]交叉點存儲器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580060540.1
• 申請日: 2015-10-13
• 公開（公告）號: CN107078150B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設計）人: 保羅·凡蒂尼;克里斯蒂娜·卡塞拉托;法比歐·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器裝置，其包括

多個可變電阻存儲器單元柱，

其中鄰近存儲器單元柱由包含掩埋式空隙的經部分填充間隙分離，

其中所述鄰近存儲器單元柱包含至少部分插置有所述掩埋式空隙的存儲材料元件，且

其中所述間隙包括在密封區(qū)域的底部端上方的未填充的隔離區(qū)域，所述密封區(qū)域形成于所述間隙中位于所述掩埋式空隙上方，且

其中所述間隙包括在第一方向上延伸的第一間隙密封電介質，及在第二方向上延伸的不同于所述第一間隙密封電介質的第二間隙密封電介質。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲材料元件中的至少一個包括相變材料。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一間隙密封電介質和所述第二間隙密封電介質中的至少一個在所述密封區(qū)域下方覆蓋所述鄰近存儲器單元柱的相對側壁的至少部分。

4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中在所述密封區(qū)域下方覆蓋所述相對側壁的所述第一間隙密封電介質和所述第二間隙密封電介質中的所述至少一個的厚度遠離所述密封區(qū)域而連續(xù)減小。

5.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述第一間隙密封電介質和所述第二間隙密封電介質中的所述至少一個不在所述密封區(qū)域下方覆蓋所述鄰近存儲器單元柱的所述相對側壁的至少部分。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一間隙密封電介質和所述第二間隙密封電介質中的至少一個包括氮化硅。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述鄰近存儲器單元柱的相對側壁內襯有與所述相對側壁接觸的內襯電介質材料。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述多個可變電阻存儲器單元柱中的每一者由所述掩埋式空隙環(huán)繞。

9.一種形成存儲器裝置的方法，其包括：

形成多個可變電阻存儲器單元柱，其中每一存儲器單元柱包含存儲元件；

通過用間隙密封電介質部分填充至少兩個鄰近存儲器單元柱之間的間隙，來形成包圍所述至少兩個鄰近存儲器單元柱的存儲材料元件的掩埋式空隙，

其中所述掩埋式空隙在第一方向上跨所述至少兩個鄰近存儲器單元柱的高度，且在第二方向上部分地跨所述至少兩個鄰近存儲器單元柱的所述高度，且

其中所述間隙包括在密封區(qū)域的底部端上方的未填充的隔離區(qū)域，所述密封區(qū)域形成于所述間隙中位于所述掩埋式空隙上方。

10.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述多個可變電阻存儲器單元柱包含：

形成在所述第一方向上延伸的多個存儲器單元線堆疊，其中每一存儲器單元線堆疊包含存儲材料線；及

在所述第一方向上分離所述存儲器單元線堆疊以形成所述多個可變電阻存儲器單元柱。

11.根據權利要求10所述的方法，其中形成所述掩埋式空隙包括：

在形成所述多個存儲器單元線堆疊之后，用所述間隙密封電介質部分填充鄰近存儲器單元線堆疊之間的所述間隙以形成所述掩埋式空隙，所述掩埋式空隙形成在所述第一方向上延伸的連續(xù)掩埋式空隙。

12.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述多個可變電阻存儲器單元柱包含將所述存儲材料元件形成為包含相變材料。

13.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述掩埋式空隙包含在所述間隙中于所述掩埋式空隙上方形成所述密封區(qū)域且用所述間隙密封電介質來填充所述密封區(qū)域。

14.根據權利要求9所述的方法，其中部分填充包含用所述間隙密封電介質來在所述密封區(qū)域下方覆蓋所述至少兩個鄰近存儲器單元柱的相對側壁的至少部分。