[發明專利]交叉點存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201580060540.1
• 申請日: 2015-10-13
• 公開（公告）號: CN107078150B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 保羅·凡蒂尼;克里斯蒂娜·卡塞拉托;法比歐·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

一種交叉點存儲器陣列包含多個可變電阻存儲器單元柱。鄰近存儲器單元柱由包含掩埋式空隙的經部分填充間隙分離。另外，鄰近存儲器單元柱包含至少部分插置有所述掩埋式空隙的存儲材料元件。

交叉參考

本申請案主張2014年11月7日提出申請的標題為“交叉點存儲器及其制造方法”的第14/535,731號美國專利申請案的優先權，所述專利申請案出于所有目的而以全文引用的方式并入。

技術領域

所揭示技術一般來說涉及集成電路裝置，且特定來說涉及交叉點存儲器陣列及用于制造交叉點存儲器陣列的方法。

背景技術

一些存儲器裝置包含可變電阻存儲器單元，所述可變電阻存儲器單元可直接或間接響應于電信號(例如電壓或電流脈沖)而在高電阻狀態與低電阻狀態之間切換。在切換目標可變電阻存儲器單元時，可干擾相鄰單元。此干擾可在存儲器單元在尺寸上進行縮放時由于鄰近存儲器單元之間的增加的接近度而變得較顯著。因此，需要在切換存儲器裝置(例如可變電阻存儲器裝置)中的目標存儲器單元同時減少相鄰存儲器單元的干擾。

附圖說明

在說明書的結束部分中特別指出所主張的標的物。然而，可通過在與所附圖式一起閱讀的情況下參考以下詳細描述而較佳理解所主張的標的物的特定目標、特征及/或優點，在所附圖式中：

圖1A是根據現有技術的在平行于下部導電線的第一方向上截取的包含相變材料的存儲器陣列的示意性垂直橫截面。

圖1B是根據現有技術的在垂直于第一方向且平行于上部導電線的第二方向上截取的圖1A的存儲器陣列的示意性垂直橫截面。

圖2A是根據實施例的在平行于下部導電線的第一方向上截取的包含相變材料的存儲器陣列的示意性垂直橫截面。

圖2B是在垂直于第一方向且平行于上部導電線的第二方向上截取的圖2A的存儲器陣列的示意性垂直橫截面。

圖2C是在垂直于第一及第二方向且平行于下伏襯底表面的第三方向上截取的圖2A及2B的存儲器陣列的示意性水平橫截面。

圖3A到3C是根據各種實施例的類似于圖2B而在平行于上部導電線的第二方向上截取的包含相變材料的存儲器陣列的示意性垂直橫截面。

圖4A、4C、4E、4G及4I是根據一些實施例的在平行于下部導電線的第一方向上截取的在各種制造階段處的包含相變材料的存儲器陣列的中間結構的示意性垂直橫截面。

圖4B、4D、4F、4H及4J是根據一些實施例的在垂直于第一方向且平行于上部導電線的第二方向上截取的分別對應于圖4A、4C、4E、4G及4I的中間結構的示意性垂直橫截面。

圖式中的特征未必按比例繪制且可從所圖解說明處在不同方向上延伸。盡管為便利本文中的論述且展示根據特定實施例的不同部分的相對定向而圖解說明各種軸及方向，但將了解，所述特征可在不同方向上延伸。

具體實施方式

一些存儲器裝置包含存儲器單元，所述存儲器單元可直接或間接響應于電信號(例如電壓或電流脈沖)而在高電阻狀態與低電阻狀態之間切換。此些存儲器單元有時稱作可變電阻存儲器單元。在一些可變電阻改變存儲器單元中，在寫入存取操作期間的電阻的改變可至少部分與由電信號產生的熱相關聯。如本文中所使用，寫入存取操作可為編程或擦除操作。對于可變電阻存儲器單元，編程操作也可稱為復位操作，其可將存儲器單元的電阻狀態從相對低電阻狀態改變到相對高電阻狀態。類似地，擦除操作(其針對可變電阻存儲器也可稱為設定操作)可將存儲器單元的電阻狀態從相對高電阻狀態改變到相對低電阻狀態。將理解，對于指的是用于對可變電阻存儲器單元施加不同存儲器狀態的寫入操作，以上術語為任意的但常規的。