[發明專利]用于生物可吸收性支架的保護的鎂合金

有效

• 申請號: 201580060476.7
• 申請日: 2015-11-06
• 公開（公告）號: CN107106736B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: S·R·普魯格塔;J·艾倫;J·米切爾;C·斯道蒙特;J·門德爾松
• 申請（專利權）人: 美敦力瓦斯科爾勒公司
• 主分類號: A61L31/02
• 分類號: A61L31/02;A61L31/08;A61L31/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳揚揚;陶啟長

1.一種可植入的醫療支架的可生物降解框架，所述框架包括：

鎂（Mg）合金；和

所述鎂合金上的涂層，其中所述涂層包括

所述鎂合金上的氫氟酸（HF）轉化涂層，和

所述氫氟酸轉化涂層上的氧化鋁（Al₂O₃）和聚（乙二醇鋁）聚合物（烷氧基鋁）的交替層。

2.如權利要求1所述的框架，其中所述涂層包括所述鎂合金上的氫氟酸轉化涂層，所述氫氟酸轉化涂層上的氧化鋁基層，氧化鋁基層上的氧化鋁和烷氧基鋁納米層壓材料，以及氧化鋁和烷氧基鋁的納米層壓材料上的烷氧基鋁層。

3.如權利要求2所述的框架，其中氧化鋁基層、氧化鋁和烷氧基鋁的納米層壓材料以及烷氧基鋁層的總厚度是100nm或更薄。

4.一種形成可植入的醫療支架的可生物降解框架的方法，包括：

形成包含鎂（Mg）合金的框架；

用包含氫氟酸（HF）的組合物孵育所述框架使鎂合金表面轉化為水合氟化鎂（MgF₂）層；

在所述氟化鎂層上沉積氧化鋁（Al₂O₃）層；和

在所述氧化鋁層上沉積氧化鋁和聚（乙二醇鋁）聚合物（烷氧基鋁）的納米層壓材料。

5.如權利要求4所述的方法，其中沉積氧化鋁層包括通過原子層沉積來沉積所述層。

6.如權利要求5所述的方法，其中氧化鋁的原子層沉積在70℃至95℃的溫度下進行。

7.如權利要求4所述的方法，其中沉積氧化鋁和烷氧基鋁的納米層壓材料包括用原子層沉積來沉積氧化鋁和用分子層沉積來沉積烷氧基鋁。

8.如權利要求7所述的方法，其中沉積氧化鋁和烷氧基鋁的納米層壓材料在120℃至130℃的溫度下進行。

9.如權利要求4所述的方法，還包括在納米層壓材料上沉積烷氧基鋁層。

10.如權利要求4所述的方法，還包括在用包含氫氟酸的組合物孵育框架之前織構化所述框架表面。