[發明專利]光電子部件及用于制造所述光電子部件的方法

在審

• 申請號: 201580060152.3
• 申請日: 2015-11-03
• 公開（公告）號: CN107078192A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: F.辛格;J.莫斯布格;M.薩巴蒂爾;B.霍克斯霍爾德;M.施佩爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/54
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李晨,鄧雪萌

技術領域

本發明涉及一種如專利權利要求1所述的光電子部件并且涉及一種如專利權利要求14所述的用于制造光電子部件的方法。

本專利申請要求德國專利申請10 2014 116 079.7的優先權，德國專利申請10 2014 116 079.7的公開內容以參考的方式據此合并入本文中。

背景技術

從現有技術中已知具有不同殼體變體的光電子部件，例如發光二極管部件。舉例來說，已知如下的光電子部件，在所述光電子部件中，光電子半導體芯片嵌入到形成支撐殼體元件的模制主體中。此類光電子部件包括非常緊湊的外部尺寸。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種光電子部件。該目的借助于包括權利要求1的特征的光電子部件來實現。本發明的另一目的是具體說明一種用于制造光電子部件的方法。該目的借助于包括權利要求14的特征的方法來實現。在從屬權利要求中具體說明了各種改進方案。

一種光電子部件包括復合主體，復合主體包括模制主體和光電子半導體芯片，光電子半導體芯片嵌入到模制主體中。導電貫通接觸件從復合主體的頂側延伸穿過模制主體至復合主體的底側。光電子半導體芯片的頂側至少部分地不被模制主體覆蓋。光電子半導體芯片包括在其頂側上的第一電接觸件。第一頂側金屬化物被布置在復合主體的頂側上，并且將第一電接觸件導電地連接到貫通接觸件。光電子部件包括上絕緣層，上絕緣層延伸跨過第一頂側金屬化物。另外，光電子部件包括第二頂側金屬化物，第二頂側金屬化物被布置在上絕緣層的上方并且由上絕緣層而相對于第一頂側金屬化物電絕緣。

布置在該光電子部件的復合主體的頂側上的第二頂側金屬化物可以形成反射鏡層，該反射鏡層提高光電子部件的復合主體的頂側的反射性。因此，有利地降低了復合主體頂側上的吸收損耗，由此，光電子部件可以包括高效率。

布置在該光電子部件的復合主體的頂側上的第二頂側金屬化物另外可以保護該光電子部件的復合主體的材料的以防過度老化，這可以導致該光電子部件的壽命的有利提高。由第二頂側金屬化物也可以保護該光電子部件的其它有機組成部分（例如上絕緣層）以防過度老化。

在光電子部件的一個實施例中，上絕緣層還延伸跨過光電子半導體芯片的頂側。這有利地簡化了上絕緣層的制造。

在光電子部件的一個實施例中，上絕緣層延伸跨過復合主體的整個頂側。因此，有利的是可以特別簡單地制造光電子部件。

在光電子部件的一個實施例中，第二頂側金屬化物延伸跨過光電子半導體芯片的頂側的一部分。舉例來說，第二頂側金屬化物還可以延伸跨過光電子半導體芯片的頂側的邊緣。因此，有利地提高了光電子部件的光電子半導體芯片的頂側的邊緣區域的反射性，由此可降低吸收損耗，這導致光電子部件的效率的提高。因為光電子部件的第二頂側金屬化物由上絕緣層而相對于光電子部件的第一頂側金屬化物電絕緣，所以如下情況是無害的：如果第二頂側金屬化物例如經由布置在光電子半導體芯片的頂側的邊緣區域中的渣屑毛刺（slag burr）導電地連接到光電子半導體芯片的第二電接觸件。

在光電子部件的一個實施例中，第二頂側金屬化物不延伸跨過電子半導體芯片的頂側上的發射區域。因此，有利地，由光電子部件的光電子半導體芯片所發射的電磁輻射沒有被第二頂側金屬化物削弱。

在光電子部件的一個實施例中，波長轉換材料被布置在復合主體的頂側上的第二頂側金屬化物所完全地界定的區域中。波長轉換材料可以用于例如將光電子部件的光電子半導體芯片所發射的電磁輻射至少部分地轉換成不同波長的電磁輻射。布置在光電子部件的復合主體的頂側上的第二頂側金屬化物可以在第二頂側金屬化物所界定的區域中形成空腔，所述空腔容納波長轉換材料。這有利地導致光電子部件的簡單且緊湊的構造。

在光電子部件的一個實施例中，在光電子半導體芯片的頂側的邊緣區域的上方，下絕緣層被布置在光電子半導體芯片的頂側與第一頂側金屬化物之間。所述下絕緣層防止在光電子部件的光電子半導體芯片的第二電接觸件與第一頂側金屬化物之間形成導電連接，這例如由于布置在光電子半導體芯片的頂側的邊緣區域中的渣屑毛刺。因此，防止了在光電子半導體芯片的第一電接觸件與第二電接觸件之間發生短路。

在光電子部件的一個實施例中，第一底側金屬化物被布置在復合主體的底側上并且導電地連接到貫通接觸件。因此，第一底側金屬化物經由貫通接觸件和第一頂側金屬化物而導電地連接到光電子部件的光電子半導體芯片的第一電接觸件。第一底側金屬化物可以用于例如光電子部件的電接觸。