[發明專利]光電子部件及用于制造所述光電子部件的方法

在審

• 申請號: 201580060152.3
• 申請日: 2015-11-03
• 公開（公告）號: CN107078192A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: F.辛格;J.莫斯布格;M.薩巴蒂爾;B.霍克斯霍爾德;M.施佩爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/54
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李晨,鄧雪萌

1.一種光電子部件（10、20、30），

所述光電子部件（10、20、30）包括復合主體（100），所述復合主體（100）包括模制主體（200）和光電子半導體芯片（300），所述光電子半導體芯片（300）嵌入到所述模制主體（200）中；

其中，導電貫通接觸件（400）從所述復合主體（100）的頂側（101）延伸穿過所述模制主體（200）至所述復合主體（100）的底側（102），

其中，所述光電子半導體芯片（300）的頂側（301）至少部分地被所述模制主體（200）覆蓋，

其中，所述光電子半導體芯片（300）包括在其頂側（301）上的第一電接觸件（310），

其中，第一頂側金屬化物（110）被布置在所述復合主體（100）的頂側（101）上并且將所述第一電接觸件（310）導電地連接到所述貫通接觸件（400），

其中，所述光電子部件（10、20、30）包括上絕緣層（160），所述上絕緣層（160）延伸跨過所述第一頂側金屬化物（110），

其中，所述光電子部件（10、20、30）包括第二頂側金屬化物（120），所述第二頂側金屬化物（120）被布置在所述上絕緣層（160）的上方并且由所述上絕緣層（160）而相對于所述第一頂側金屬化物（110）電絕緣。

2.如權利要求1所述的光電子部件（10、20、30），

其中，所述上絕緣層（160）還延伸跨過所述光電子半導體芯片（300）的頂側（301）。

3.如權利要求2所述的光電子部件（10、20、30），

其中，所述上絕緣層（160）延伸跨過所述復合主體（100）的整個頂側（101）。

4.如前述權利要求中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，所述第二頂側金屬化物（120）延伸跨過所述光電子半導體芯片（300）的頂側（301）的一部分。

5.如前述權利要求中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，所述第二頂側金屬化物（120）不延伸跨過所述光電子半導體芯片（300）的頂側（301）上的發射區域。

6.如權利要求 5所述的光電子部件（30），

其中，波長轉換材料（600）被布置在所述復合主體（100）的頂側（101）上的所述第二頂側金屬化物（120）所完全界定的區域（170）中。

7.如前述權利要求中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，在所述光電子半導體芯片（300）的頂側（301）的邊緣區域（340）的上方，下絕緣層（150）被布置在所述光電子半導體芯片（300）的頂側（301）與所述第一頂側金屬化物（110）之間。

8.如前述權利要求中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，第一底側金屬化物（130）被布置在所述復合主體（100）的底側（102）上并且導電地連接到所述貫通接觸件（400）。

9.如前述權利要求中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，所述光電子半導體芯片（300）的底側（302）至少部分地暴露在所述復合主體（100）的底側（102）上，

其中，所述光電子半導體芯片（300）包括在其底側（302）上的第二電接觸件（320）。

10.如權利要求9所述的光電子部件（10、20、30），

其中，所述第二頂側金屬化物（120）導電地連接到所述第二電接觸件（320）。

11.如前述權利要求9和10中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，第二底側金屬化物（140）被布置在所述復合主體（100）的底側（102）上并且導電地連接到所述第二電接觸件（320）。

12.如前述權利要求中的任一項所述的光電子部件（10、20、30），

其中，保護二極管（500）嵌入到所述模制主體（200）中，

其中，所述第一頂側金屬化物（110）導電地連接到所述保護二極管（500）。