[發(fā)明專利]電路基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580060074.7
• 申請(qǐng)日: 2015-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107079594B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋健;中島崇裕;小野寺稔;原哲也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社可樂(lè)麗
• 主分類號(hào): H05K3/46
• 分類號(hào): H05K3/46
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 滿鳳;金龍河

1.一種電路基板的制造方法，其包括：

準(zhǔn)備多張至少一種熱塑性液晶聚合物薄膜的工序；

在所述多張薄膜中的至少一張中在薄膜的單面或兩面上形成導(dǎo)體層而制成單元電路基板的工序；

將包含所述單元電路基板的所述多張薄膜層疊而形成層疊體的工序；

將所述層疊體在加壓下加熱至產(chǎn)生層間膠粘的第一溫度而進(jìn)行一體化的熱壓接工序；和

在所述第一溫度下的加熱后，將所述層疊體在比所述第一溫度低、且比所述多張熱塑性液晶聚合物薄膜中熔點(diǎn)最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(diǎn)低的第二溫度下進(jìn)行加熱而進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的結(jié)構(gòu)控制熱處理的工序，

進(jìn)行所述結(jié)構(gòu)控制熱處理的工序包含在所述熱壓接工序中，在對(duì)層疊體進(jìn)行加壓的同時(shí)進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法，其中，將層疊體中熔點(diǎn)最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(diǎn)設(shè)為Tm_L時(shí)，熱壓接時(shí)的第一溫度為(Tm_L-35)～(Tm_L+20)℃，結(jié)構(gòu)控制熱處理時(shí)的第二溫度為(第一溫度-10)℃以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，第二溫度下的結(jié)構(gòu)控制熱處理時(shí)間為15分鐘～90分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，從第一溫度至第二溫度，以1～8℃/分鐘進(jìn)行冷卻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，熱壓接時(shí)的第一溫度為270～320℃，結(jié)構(gòu)控制熱處理時(shí)的第二溫度為260～290℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，在所述層疊體的一部分，在包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面或兩面上的導(dǎo)體層的單元電路基板上直接層疊包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面上的導(dǎo)體層的單元電路基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，在所述層疊體的一部分，將兩張包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面或兩面上的導(dǎo)體層的單元電路基板隔著包含熱塑性液晶聚合物薄膜的粘結(jié)片進(jìn)行層疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，在形成所述導(dǎo)體層的工序中，將金屬箔熱壓接到熱塑性液晶聚合物薄膜上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路基板的制造方法，其中，在準(zhǔn)備熱塑性液晶聚合物薄膜后，在選自形成導(dǎo)體層之前的階段、在形成熱塑性液晶聚合物薄膜并在其單面或兩面形成導(dǎo)體層后且層疊體形成前的階段、和所述層疊體形成后加壓前的階段中的至少一個(gè)階段中，通過(guò)在大氣中或惰性氣氛中在100～200℃的溫度下保持規(guī)定時(shí)間、和/或在氣壓1500Pa以下的真空度下保持規(guī)定時(shí)間來(lái)進(jìn)行脫氣處理。

10.一種電路基板，其為通過(guò)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的方法制造的電路基板，其中，具備具有多張熱塑性液晶聚合物薄膜和至少一張導(dǎo)體層的層疊結(jié)構(gòu)，在所述層疊結(jié)構(gòu)的至少一部分包含電路經(jīng)加工的導(dǎo)體層被夾在兩張熱塑性液晶聚合物薄膜的層間的結(jié)構(gòu)。