[發(fā)明專利]液體噴出裝置、納米壓印設(shè)備、納米壓印用液體容納罐、固化物圖案的制造方法、光學(xué)組件的制造方法、電路板的制造方法、和壓印用模具的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580058890.4 | 申請日: | 2015-10-05 |
| 公開(公告)號: | CN107112206A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 伊藤俊樹;荒木義雅;巖下和美 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B05C5/00;B05D1/26;B05D3/06;B29C59/02;B05C11/10 |
| 代理公司: | 北京魏啟學(xué)律師事務(wù)所11398 | 代理人: | 魏啟學(xué) |
| 地址: | 日本東京都大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液體 噴出 裝置 納米 壓印 設(shè)備 容納 固化 圖案 制造 方法 光學(xué) 組件 電路板 模具 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及噴出納米壓印用液體的液體噴出裝置,納米壓印設(shè)備,納米壓印用液體容納罐,使用所述液體噴出裝置的固化物圖案的制造方法、光學(xué)組件的制造方法、電路板的制造方法、和壓印用模具的制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件和微機電系統(tǒng)(MEMS)等中,對微細加工的要求已日益增加。特別地,光納米壓印技術(shù)已引起注意。
光納米壓印技術(shù)中,將光固化性組合物(抗蝕劑)以使表面具有微細凹凸圖案的模具壓向涂覆有光固化性組合物的基板(晶片)這樣的狀態(tài)固化。這將模具的凹凸圖案轉(zhuǎn)印至光固化性組合物的固化物,由此在基板上形成凹凸圖案。光納米壓印技術(shù)能夠形成幾納米量級的微細結(jié)構(gòu)(固化物圖案)。
光納米壓印技術(shù)中,將光固化性組合物涂布至基板的圖案形成區(qū)域(配置步驟)。接下來,光固化性組合物使用具有圖案的模具成形(模具接觸步驟)。光固化性組合物通過用光照射光固化性組合物來固化(光照射步驟)然后脫模(脫模步驟)。進行這些步驟使具有預(yù)定形狀的樹脂圖案(光固化膜)形成于基板上(參見PTL 1)。
光納米壓印技術(shù)的配置步驟中,可以使用包括液體噴出頭(下文中簡稱為"頭")的液體噴出裝置作為用于將光固化性組合物涂布至基板的裝置。PTL2記載了用于將一般的液體如墨噴出的液體噴出裝置,即包括密封的外殼、放置在外殼中的罐、和與罐連通的頭的液體噴出裝置。待噴出的液體(墨)容納在罐中的容納空間中。將容納在罐中的液體(墨)供給至頭,然后從頭噴出。
光納米壓印技術(shù)中,通過將模具壓向配置步驟中涂布的如光固化性組合物等納米壓印用液體進行成形。因此,例如,當具有幾納米至幾微米直徑的凝膠狀或固體狀異物顆粒(下文中稱為"顆粒")存在于配置步驟中涂布的納米壓印用液體中時,模具損壞或形成的圖案具有缺陷。因此,納米壓印用液體中的顆粒的濃度優(yōu)選為低的。
可選地,當如金屬離子或微細金屬顆粒等金屬雜質(zhì)存在于納米壓印用液體中時,處理過的基板被金屬雜質(zhì)污染,因而影響半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體性能。因而,納米壓印用液體中的金屬雜質(zhì)的濃度優(yōu)選為低的。
當水存在于納米壓印用液體中時,納米壓印用液體的如固化性能等性能可能會降低。因此,納米壓印用液體中的水的濃度優(yōu)選為低的。
在其中PTL2中記載的液體噴出裝置應(yīng)用至納米壓印設(shè)備并且納米壓印用液體容納在容納部中的情況下,由于液體噴出裝置的各種部件引起的顆粒、金屬雜質(zhì)或水的濃度可能會隨著時間增加。因此,存在的問題在于在容納部中容納的納米壓印用液體會隨時間而增加納米壓印用液體中顆粒、金屬雜質(zhì)或水的濃度。
本發(fā)明中,抑制了容納在容納部中的納米壓印用液體中的顆粒、金屬雜質(zhì)或水的濃度隨時間的增加。
[引文列表]
[專利文獻]
PTL 1:PCT日文翻譯的專利公布No.2005-533393
PTL 2:日本專利特開No.2006-192785
發(fā)明內(nèi)容
作為本發(fā)明一方面的液體噴出裝置包括容納納米壓印用液體的容納部,還包括與容納部連通且噴出納米壓印用液體的噴出口。容納部具有吸附或吸收選自由顆粒、金屬離子和水組成的組中的至少之一的吸著介質(zhì)。當納米壓印用液體從噴出口噴出時,吸著介質(zhì)不從噴出口噴出。
從下面參照附圖對示例性實施方案的說明中,本發(fā)明的進一步特征將變得明顯。
附圖說明
[圖1]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方案的液體噴出裝置的示意圖。
[圖2]圖2是示出密封在液體容納單元中的吸著介質(zhì)的洗滌方法的說明。
[圖3A]圖3A是例舉用于本發(fā)明實施方案的壓力調(diào)整器的說明。
[圖3B]圖3B是示出容納袋從圖3A中示出的狀態(tài)收縮的狀態(tài)的說明。
[圖4]圖4是示出如何控制液體狀充填劑的壓力的流程圖。
[圖5A]圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明實施方案的固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖5B]圖5B是示出固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖5C]圖5C是示出固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖5D]圖5D是示出固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖5E]圖5E是示出固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖5F]圖5F是示出固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖5G]圖5G是示出固化物圖案的制造方法的示意性截面圖。
[圖6]圖6是根據(jù)本發(fā)明實施方案的納米壓印設(shè)備的示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





