[發明專利]單位移位寄存器電路、移位寄存器電路、單位移位寄存器電路的控制方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201580058776.1
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN107112051B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 山本薰;小川康行
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G11C19/00
• 分類號: G11C19/00;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

正方向的移位動作中，在對晶體管(T1)的第1柵極端子充電時，向晶體管(T2)的第2柵極端子輸入電壓比第1輸入信號(S)的電壓高的第2輸入信號(VS)，在使晶體管(T1)的第1柵極端子放電時，向晶體管(T3)的第3柵極端子輸入電壓比第3輸入信號(R)的電壓高的第4輸入信號(VR)，反方向的移位動作中，在對晶體管(T1)的第1柵極端子充電時，向晶體管(T3)的第3柵極端子輸入電壓比第3輸入信號(R)的電壓高的第4輸入信號(VR)，在使晶體管(T1)的第1柵極端子放電時，向晶體管(T2)的第2柵極端子輸入電壓比第1輸入信號(S)的電壓高的第2輸入信號(VS)。

技術領域

本發明涉及單位移位寄存器電路、移位寄存器電路、單位移位寄存器電路的控制方法及顯示裝置。

本申請根據2014年10月28日在日本申請的特愿2014－219622號主張優先權，將其內容引用于此。

背景技術

近年，移動電話等移動設備的顯示器的高清晰化及窄邊框化迅速發展，許多分辨率超過400ppi(pixel per inch：每英寸像素)的設備被商品化。作為實現這些產品的關鍵技術，采用在玻璃基板上形成驅動電路的所謂單片電路技術。另外，作為這些背板(電路基板)，開始使用基于采用了氧化銦鎵鋅(In－Ga－Zn－O類半導體；包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)及氧(O)的氧化物半導體)等氧化物半導體的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶體管)的電路。

眾所周知，利用所述的單片電路技術形成的驅動電路存在TFT的閾值電壓隨著時間經過和溫度而變化的情況。特別是在掃描線驅動電路所采用的移位寄存器電路中，存在如下問題。

移位寄存器電路利用自舉將驅動掃描線的輸出用TFT的柵極升壓至高電壓并進行動作。為了對輸出用TFT的柵極電極預充電且不會在增益時漏電，而將二極管連接的TFT用作置位用TFT。采用二極管連接的置位用TFT時，輸出用TFT的預充電電壓達到下降了TFT的閾值電壓量的值。

采用了氧化銦鎵鋅等氧化物半導體的TFT具有通過對柵極電極施加的電壓應力而使閾值電壓變動的特性，因此，隨著時間經過特性逐漸劣化，由二極管連接構成的置位用TFT所形成的輸出用TFT的柵極電極的預充電電壓相應地降低。預充電電壓逐漸降低，則通過自舉升壓的電壓也降低，輸出用TFT的驅動力降低，輸出波形存在失真的情況，若進一步劣化，則輸出電壓降低，移位寄存器動作變得不穩定。

另外，掃描線驅動電路需要具有能夠在正方向和反方向之間切換并在雙向進行移位動作的雙向掃描功能的移位寄存器。例如，這是因為，掃描線驅動電路通過在反方向進行移位動作，容易使顯示于顯示部的圖像的上下反轉。

專利文獻1中記載了這樣能夠進行雙向移位動作的移位寄存器電路的一例。專利文獻1的圖2記載的移位寄存器電路的各級(以下，包含本發明的實施方式，稱為“單位移位寄存器電路”)具備輸出用TFT(T1)、置位用TFT(T2)、復位用TFT(T3)、置位用TFT(T4)、復位用TFT(T5)。T2的漏極端子和源極端子采用二極管連接，與前一級的輸出連接，源極端子與T1的柵極端子連接。T3的漏極端子與T1的柵極端子連接，柵極端子與后級的輸出連接，源極端子與VSS(電源電壓VSS)端子連接。T4的漏極端子和源極端子二極管連接，與后級的輸出連接，源極端子與T1的柵極端子連接。T5的漏極端子與T1的柵極端子連接，柵極端子與前一級的輸出連接，源極端子與VSS端子連接。具有這樣的結構的單位移位寄存器電路作為移位寄存器電路，在正方向(從前級向后級的方向)的移位動作中，T2進行對T1的柵極端子預充電(充電)的置位動作，T3進行對T1的柵極端子下拉(放電)的復位動作。另一方面，在反方向(從后級向前級的方向)的移位動作中，T4進行對T1的柵極端子預充電的置位動作，T5進行對T1的柵極端子下拉的復位動作。專利文獻1記載的單位移位寄存器電路中，通過利用這樣的構成，不采用掃描順序切換用的選擇信號就能夠進行柵極總線的掃描順序的切換。

現有技術文獻

專利文獻