[發明專利]單位移位寄存器電路、移位寄存器電路、單位移位寄存器電路的控制方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201580058776.1
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN107112051B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 山本薰;小川康行
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G11C19/00
• 分類號: G11C19/00;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種單位移位寄存器電路，是構成移位寄存器電路的各級的單位移位寄存器電路，其特征在于，包括：

第1晶體管，該第1晶體管具有第1柵極端子、第1源極端子及第1漏極端子，向所述第1漏極端子輸入規定的時鐘信號，從所述第1源極端子輸出輸出信號；

第2晶體管，該第2晶體管具有第2柵極端子、第2源極端子及第2漏極端子，作為所述第2源極端子與所述第1晶體管的所述第1柵極端子相連接的晶體管，向所述第2漏極端子輸入第1輸入信號，向所述第2柵極端子輸入第2輸入信號；以及

第3晶體管，該第3晶體管具有第3柵極端子、第3源極端子及第3漏極端子，作為所述第3源極端子與所述第1晶體管的所述第1柵極端子相連接的晶體管，向所述第3漏極端子輸入第3輸入信號，向所述第3柵極端子輸入第4輸入信號，

正方向的移位動作中，在對所述第1晶體管的所述第1柵極端子進行充電時，向所述第2柵極端子輸入電壓變得比所述第1輸入信號的電壓高的所述第2輸入信號，在使所述第1晶體管的所述第1柵極端子放電時，向所述第3柵極端子輸入電壓變得比所述第3輸入信號的電壓高的所述第4輸入信號，

反方向的移位動作中，在對所述第1晶體管的所述第1柵極端子進行充電時，向所述第3柵極端子輸入電壓變得比所述第3輸入信號的電壓高的所述第4輸入信號，在使所述第1晶體管的所述第1柵極端子放電時，向所述第2柵極端子輸入電壓變得比所述第1輸入信號的電壓高的所述第2輸入信號。

2.如權利要求1所述的單位移位寄存器電路，其特征在于，

所述第1輸入信號是所述單位移位寄存器電路的前一級的單位移位寄存器電路的輸出信號，

所述第2輸入信號是所述單位移位寄存器電路的再前級的單位移位寄存器電路的第1晶體管的所述第1柵極端子的信號，

所述第3輸入信號是所述單位移位寄存器電路的后一級的單位移位寄存器電路的輸出信號，

所述第4輸入信號是所述單位移位寄存器電路的再后級的單位移位寄存器電路的第1晶體管的所述第1柵極端子的信號。

3.如權利要求1所述的單位移位寄存器電路，其特征在于，

所述第1輸入信號在正方向的移位動作中，所述時鐘信號是指周期向后偏移四分之一周期的時鐘信號，在反方向的移位動作中，所述時鐘信號是指周期向前偏移四分之一周期的時鐘信號，

所述第2輸入信號是所述單位移位寄存器電路的再前級的單位移位寄存器電路的第1晶體管的所述第1柵極端子的信號，

所述第3輸入信號在正方向的移位動作中，所述時鐘信號是指周期向前偏移四分之一周期的時鐘信號，在反方向的移位動作中，所述時鐘信號是指周期向后偏移四分之一周期的時鐘信號，

所述第4輸入信號是所述單位移位寄存器電路的再后級的單位移位寄存器電路的第1晶體管的所述第1柵極端子的信號。

4.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的單位移位寄存器電路，其特征在于，

正方向的移位動作中，

在所述第2晶體管對所述第1晶體管的所述第1柵極端子充電時，所述第1輸入信號及所述第2輸入信號上升，對所述第1柵極端子充電后，在所述第1輸入信號的電壓下降之前所述第2輸入信號的電壓下降，

反方向的移位動作中，

在所述第3晶體管對所述第1晶體管的所述第1柵極端子充電時，所述第3輸入信號及所述第4輸入信號上升，對所述第1柵極端子充電后，在所述第3輸入信號的電壓下降之前所述第4輸入信號的電壓下降。

5.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的單位移位寄存器電路，其特征在于，

所述第1晶體管通過自舉動作使所述輸出信號進行升壓，該自舉動作利用對所述第1源極端子和所述第1柵極端子之間的寄生電容進行充電后的電壓使所述第1柵極端子的電壓升壓。