[發(fā)明專利]極紫外波長范圍的掩模的制造方法、掩模和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580058065.4 | 申請日: | 2015-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN107148596B | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J-H.彼得斯;J.F.布魯姆里奇;A.加雷托;R.卡佩利 | 申請(專利權(quán))人: | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | G03F1/22 | 分類號: | G03F1/22;G03F1/24;G03F1/72;G03F1/84 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王蕊瑞 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紫外 波長 范圍 制造 方法 設(shè)備 | ||
1.一種由掩模坯體(250,350,550,950)制造極紫外波長范圍的掩模的方法,所述掩模坯體具有缺陷(220,320,520,620,920),其中,所述方法包括下列步驟:
a.將所述缺陷(220,320,520,620,920)歸類為至少一個第一組和至少一個第二組,其中所述至少一個第一組包括不可修復(fù)缺陷,所述至少一個第二組包括可修復(fù)缺陷;
b.將優(yōu)先權(quán)分配給所述至少一個第二組的缺陷,其中所述優(yōu)先權(quán)包括:用于修復(fù)所述至少一個第二組的缺陷的費用,和/或當(dāng)修復(fù)所述至少一個第二組的缺陷時的風(fēng)險,和/或當(dāng)修復(fù)所述至少一個第二組的缺陷時的復(fù)雜度和/或所述至少一個第二組的缺陷的有效缺陷尺寸(370,740);
c.優(yōu)化所述掩模坯體(250,350,550,950)上的吸收體圖案(170)的布置,以通過布置的吸收體圖案(170)補償所述至少一個第一組的最大數(shù)量的缺陷;以及
d.將優(yōu)化的吸收體圖案(170)施加到所述掩模坯體(250,350,550,950)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括以下步驟:通過修復(fù)方法至少部分地修復(fù)所述至少一個第二組的缺陷。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,修復(fù)所述缺陷(220,320,520,620,920)包括修改施加的吸收體圖案(170)的至少一個元件和/或修改所述掩模坯體(250,350,550,950)的表面(260,360,560)的至少一個部分。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法,還包括以下步驟:
在施加到所述掩模坯體之前,進一步優(yōu)化所述吸收體圖案的一個或多個元件,以至少部分地補償所述至少一個第二組的一個或多個缺陷的效應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,步驟c.包括:
通過制造集成電路的方法,從掩模疊層(940)的吸收體圖案中選擇吸收體圖案(170)。
6.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,步驟c.包括:
選擇所述掩模坯體(250,350,550)的取向、移位所述掩模坯體(250,350,550,950)和/或旋轉(zhuǎn)所述掩模坯體(250,350,550,950)。
7.如權(quán)利要求1或2所述的方法,還包括以下步驟:表征所述掩模坯體(250,350,550,950)的缺陷(220,320,520,620,920),以確定通過修改吸收體圖案(170)是否能夠修復(fù)缺陷(220,320,520,620,920)或者是否必須通過優(yōu)化所述吸收體圖案(170)的布置補償缺陷(220,320,520,620,920)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其中,表征所述缺陷(220,320,520,620,920)還包括:確定有效缺陷尺寸(370,740),其中,所述有效缺陷尺寸(370,740)包括缺陷(220,320,520,620,920)這樣的部分:在其修復(fù)或補償之后,所述缺陷的剩余部分(380)不再在曝光的晶片上是可見的,和/或其中所述有效缺陷尺寸由表征缺陷(220,320,520,620,920)的誤差確定和/或基于用于曝光的光源的非遠心性確定。
9.如權(quán)利要求7所述的方法,其中,表征所述缺陷(220,320,520,620,920)還包括:確定所述缺陷(220,320,520,620,920)在所述掩模坯體(250,350,550,950)的多層結(jié)構(gòu)(240,340,540)中的傳播(660)。
10.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,步驟a.包括:如果缺陷(220,320,520,620,920)不能通過表面敏感測量來檢測,如果缺陷(220,320,520,620,920)超過預(yù)定尺寸和/或如果在確定缺陷(220,320,520,620,920)的位置(430)時的不同測量方法產(chǎn)生不同結(jié)果,則將所述缺陷(220,320,520,620,920)歸類為至少一個第一組。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





