[發(fā)明專利]切割片與半導體芯片的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580056734.4
• 申請日: 2015-10-20
• 公開（公告）號: CN107078037B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 坂本美紗季;西田卓生
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/29;C09J7/24;C09J7/25;C09J7/30;C09J7/50;C09J133/00;C09J175/04;C09J201/00;C09J201/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

本發(fā)明提供一種切割片(10)，其具有基材(3)與設置于其一個面上的中間層(2)、以及設置于中間層(2)上的粘著劑層(1)，粘著劑層(1)含有分子內具有能量線固化性雙鍵的化合物，粘著劑層(1)固化前于23℃時的存儲彈性模量G’大于中間層(2)于23℃時的存儲彈性模量G’，對于粘著劑層(1)固化前的切割片(10)，以JISZ0237:2000為基準相對于硅鏡面晶圓進行180°撕除粘著力試驗時，所測得的粘著力為2000mN/25mm以上，粘著劑層(1)固化前于23℃時的損失因數(shù)tanδ為0.23以上。通過這種切割片(10)，即使將切割片(10)粘貼于半導體晶圓(30)上所得到的層疊體，在規(guī)定的時間內靜置，也很難發(fā)生部分剝離。

技術領域

本發(fā)明涉及一種切割片，其在將半導體晶圓按每個電路單片化，制成半導體芯片時，用于固定半導體晶圓。此外，本發(fā)明涉及一種使用該切割片的半導體芯片的制造方法。特別是，本發(fā)明的切割片優(yōu)選使用于固定、切斷表面具有突起狀電極的半導體晶圓，制造芯片時，所述半導體晶圓為例如具有硅貫通電極(TSV)的半導體晶圓。

背景技術

半導體晶圓的表面形成電路后，對晶圓的背面實施研磨加工，進行調節(jié)晶圓厚度的背面研磨工序、以及將晶圓單片化為規(guī)定的芯片大小的切割工序。此外，進行背面研磨工序后，有時需實施在背面進行蝕刻處理等伴隨發(fā)熱的加工處理、以及如對背面沉積金屬膜的需在高溫下進行的處理。將以芯片大小單片化的半導體晶圓(半導體芯片)拾取，移送至下一個工序。

近年來隨著IC卡的普及，作為其構成構件的半導體芯片越來越薄型化。因此，要求以往的厚度約350μm左右的晶圓，需薄化至50～100μm或其以下。

此外，對應電子電路的大容量化、高機能化，將多個半導體芯片立體地層疊的多層電路正在開發(fā)中。雖然在這種多層電路中，以往通常會將半導體芯片的導電連接通過引線鍵合(Wire bonding)來實行，但由于近年來的小型化·高機能化的必要性，開發(fā)一種有效的方法，其并不進行引線鍵合，而是在半導體芯片上設置從電路形成面貫通至背面的電極(貫通電極)，直接對上下芯片之間進行導電連接。

作為這種帶有貫通電極的芯片的制造方法，可列舉例如，在半導體晶圓所規(guī)定的位置上，通過等離子體(Plasma)設置貫通孔，向此貫通孔注入銅導電體后進行蝕刻，在半導體晶圓表面設置電路與貫通電極的方法。設置有電路與貫通電極的半導體晶圓，利用在基材薄膜上形成有粘著劑層的切割片切割，以此得到個別的帶有貫通電極的芯片。

在為了得到如上所述的帶有貫通電極的芯片的切割工序中，提出了以下方法：在基材薄膜上形成的粘著劑層通過擠壓于粘貼面上突出的貫通電極而變形，電極被埋入與電極突出部類似形狀的粘著劑層的凹陷處，以此將形成有貫通電極的半導體晶圓粘貼、固定于切割片上，接著進行切割，而得到個別的芯片(專利文獻1、2)。然而，專利文獻1、2里所記載的切割片中，貫通電極埋入于粘著劑層中，在貫通電極之間的狹窄范圍內有可能會產生粘著劑的殘渣。該殘渣會污染芯片表面，導致半導體芯片的可靠性降低。專利文獻1、2的方法中，雖然有提出減少這種殘渣殘留的方法，但仍無法完全消除殘渣殘留的可能性。此外，專利文獻1、2中所記載的切割片中，為了埋入貫通電極，須將切割時的彈性調低。因此，存在容易因切割時的震動而導致芯片崩裂(Chipping)的問題。

為了解決上述問題，專利文獻3中記載了一種切割片，其特征在于，作為可在突起狀電極(貫通電極)之間不殘留粘著劑層的殘渣、芯片不損壞的情況下，進行切割與拾取的切割片，由基材與設置于其一個面上的中間層、以及設置于中間層上的厚度為8～30μm的粘著劑層組成，粘著劑層含有分子內含有能量線固化性雙鍵的化合物，粘著劑層固化前在23℃時的存儲彈性模量G’大于中間層在23℃時的存儲彈性模量G’的4倍，在高度15μm、直徑15μm的圓柱形電極以40μm節(jié)距(Pitch)等間距地形成3行3列的晶圓上，經由粘著劑層粘貼的情況下，在以3行3列形成的圓柱形電極的中心電極中，該電極的高7.5μm以下的部分不接觸粘著劑層。