[發(fā)明專利]切割片與半導(dǎo)體芯片的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580056734.4
• 申請日: 2015-10-20
• 公開（公告）號: CN107078037B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坂本美紗季;西田卓生
• 申請（專利權(quán)）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/29;C09J7/24;C09J7/25;C09J7/30;C09J7/50;C09J133/00;C09J175/04;C09J201/00;C09J201/02
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種切割片，其具有基材、設(shè)置于其一個面上的中間層、設(shè)置于所述中間層上的粘著劑層，其特征在于，

所述粘著劑層含有分子內(nèi)具有能量線固化性雙鍵的化合物，

所述粘著劑層固化前于23℃時的存儲彈性模量G’大于所述中間層于23℃時的存儲彈性模量G’，

對于所述粘著劑層固化前的所述切割片，以JIS Z0237:2000為基準(zhǔn)，相對于硅鏡面晶圓進行180°撕除粘著力試驗時，所測量的粘著力為2000mN/25mm以上，

所述粘著劑層固化前于23℃時的損失因數(shù)tanδ為0.44以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其中，所述分子內(nèi)具有能量線固化性雙鍵的化合物，包含在聚合物主鏈或側(cè)鏈上結(jié)合能量線聚合性基團而成的能量線固化型粘著性聚合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其中，所述中間層于23℃時的存儲彈性模量G’為1×10⁴Pa以上、小于1×10⁵Pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其特征在于，所述粘著劑層固化前于23℃時的存儲彈性模量G’為3×10⁵Pa上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其特征在于，所述粘著劑層含有具有反應(yīng)性官能團的丙烯酸聚合物與交聯(lián)劑，相對于丙烯酸聚合物100質(zhì)量份，含有5質(zhì)量份以上的交聯(lián)劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5項所述的切割片，其特征在于，所述交聯(lián)劑為異氰酸酯類交聯(lián)劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其特征在于，其用于粘貼于設(shè)置有突起狀電極的晶圓上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的切割片，其中，所述突起狀電極為貫通電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的切割片，其特征在于，所述中間層的厚度為所述突起狀電極高度的0.5倍以上、1.5倍以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其中，所述粘著劑層固化前于23℃時的存儲彈性模量G’大于所述中間層于23℃時的存儲彈性模量G’的4倍。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其中，所述粘著劑層的厚度為5μm以上、50μm以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割片，其特征在于，所述中間層的厚度為5μm以上、50μm以下。

13.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其包括：在具有突起狀電極的半導(dǎo)體晶圓的形成有電極的面上，粘貼權(quán)利要求1～12中任一項所述的切割片的工序；將所述半導(dǎo)體晶圓按每個電路單片化，制作半導(dǎo)體芯片的工序；以及拾取所述半導(dǎo)體芯片的工序。