[發(fā)明專利]背光單元及側發(fā)光二極管封裝件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580056373.3 | 申請日: | 2015-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN107078197B | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄭丞晧 | 申請(專利權)人: | 首爾半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286 | 代理人: | 孫昌浩;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背光 單元 發(fā)光二極管 封裝 | ||
本發(fā)明涉及一種背光單元及側發(fā)光二極管封裝件,根據(jù)本發(fā)明的一實施例的背光單元可以包括:導光板;以及發(fā)光二極管封裝件,結合于所述導光板的側面,向所述導光板的內部發(fā)出光,所述發(fā)光二極管封裝件可以包括:基板;一對引腳,形成于所述基板的兩個末端;發(fā)光二極管芯片,貼裝于所述基板的上部;反射部,以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側面的方式形成;以及波長轉換部,形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部。根據(jù)本發(fā)明,將發(fā)光二極管芯片直接貼裝到基板而制造,從而具有能夠制造超薄型或者超纖薄的背光單元及側發(fā)光二極管封裝件的效果。
技術領域
本發(fā)明涉及一種背光單元及側發(fā)光二極管封裝件,尤其涉及一種應用側發(fā)光二極管封裝件的背光單元和側發(fā)光二極管封裝件。
背景技術
通常,發(fā)光二極管封裝件大體分為塔型發(fā)光二極管封裝件和側發(fā)光二極管(side-view light-emitting diode)封裝件。側發(fā)光二極管封裝件結合于背光單元的導光板側面而被較多地用作顯示裝置的背光用光源。最近,側發(fā)光二極管封裝件除了現(xiàn)有顯示裝置的背光用途之外,逐漸被多樣地使用。
通常,側發(fā)光二極管封裝件在主體的前表面包括用于貼裝發(fā)光二極管的腔體。并且,引腳框架在封裝件主體的內部通過封裝件主體的底面而向外部延伸,并在腔體內與發(fā)光二極管芯片電連接。此時,將封裝件主體內的引腳框架稱為內部引腳,并將外部的引腳框架稱為外部引腳。
此時,外部引腳在封裝件主體的底面下方彎曲而通過焊接等方式焊接連接到基板的焊接圖案(solder pattern)。據(jù)此,發(fā)光二極管封裝件被安裝在基板上,同時與基板上的焊料圖案電連接。
并且,隨著最近顯示裝置的厚度變薄,側發(fā)光二極管封裝件的厚度也逐漸變薄。現(xiàn)有的側發(fā)光二極管封裝件被開發(fā)至0.4T的厚度,但是在制造更薄的厚度的情況下,由于發(fā)光二極管芯片與反射器之間的空間變得狹小,而存在光老化變多的問題,因此存在難以利用現(xiàn)有的側發(fā)光二極管封裝件的結構而制造成更薄的厚度的問題。
發(fā)明內容
技術問題
本發(fā)明所要解決的課題為,提供一種應用如下的側發(fā)光二極管封裝件的背光單元及側發(fā)光二極管封裝件,所述側發(fā)光二極管封裝件具有能夠將側發(fā)光二極管封裝件的厚度更薄地制造的結構。
技術方案
根據(jù)本發(fā)明的一實施例的背光單元可以包括:導光板;以及發(fā)光二極管封裝件,結合于所述導光板的側面,向所述導光板的內部發(fā)出光,所述發(fā)光二極管封裝件包括:基板;一對引腳,形成于所述基板的兩個末端;發(fā)光二極管芯片,貼裝于所述基板的上部;反射部,以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側面的方式形成;以及波長轉換部,形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部。
此時,所述反射部可以以覆蓋貼裝有所述發(fā)光二極管芯片的基板的方式形成。并且,所述反射部可以形成為與所述基板相隔的狀態(tài),所述反射部以所述反射部的末端與所述一對引腳的末端對齊的寬度形成,所述波長轉換部可以以覆蓋所述反射部的上部整體的方式形成。其中,所述一對引腳可以在所述基板的兩個末端向下表面彎曲而形成。
所述一對引腳可以以圍繞所述基板的兩個末端的方式從所述基板的上部面向下部面延伸形成。
另外,根據(jù)本發(fā)明的一實施例的側發(fā)光二極管封裝件可以包括:基板;一對引腳,形成于所述基板的兩個末端;發(fā)光二極管芯片,貼裝于所述基板的上部;反射部,以圍繞所述發(fā)光二極管的側面的方式形成;波長轉換部,形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部。
此時,所述反射部可以以覆蓋貼裝有所述發(fā)光二極管芯片的基板的方式形成。并且,所述反射部可以形成為與所述基板相隔的狀態(tài),所述反射部以所述反射部的末端與所述一對引腳的末端對齊的寬度形成,所述波長轉換部可以以覆蓋所述反射部的上部整體的方式形成。在此,所述一對引腳可以在所述基板的兩個末端向下表面彎曲而形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于首爾半導體株式會社,未經(jīng)首爾半導體株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580056373.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





