[發(fā)明專利]背光單元及側(cè)發(fā)光二極管封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580056373.3
• 申請(qǐng)日: 2015-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN107078197B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭丞晧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

1.一種背光單元，其特征在于，包括：

導(dǎo)光板；以及

側(cè)發(fā)光二極管封裝件，結(jié)合于所述導(dǎo)光板的側(cè)面，向所述導(dǎo)光板的內(nèi)部發(fā)出光，

所述側(cè)發(fā)光二極管封裝件包括：基板；一對(duì)引腳，形成于所述基板的兩個(gè)末端；發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述基板的上部；反射部，以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面的方式形成；以及波長轉(zhuǎn)換部，形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部，

所述側(cè)發(fā)光二極管封裝件的厚度為0.3T。

2.如權(quán)利要求1所述的背光單元，其特征在于，

所述反射部以覆蓋貼裝有所述發(fā)光二極管芯片的基板的方式形成。

3.如權(quán)利要求1所述的背光單元，其特征在于，

所述反射部以與所述基板相隔的狀態(tài)形成。

4.如權(quán)利要求3所述的背光單元，其特征在于，

所述反射部以所述反射部的末端與所述一對(duì)引腳的末端對(duì)齊的寬度形成，

所述波長轉(zhuǎn)換部以覆蓋所述反射部的整個(gè)上部的方式形成。

5.如權(quán)利要求4所述的背光單元，其特征在于，

所述一對(duì)引腳在所述基板的兩個(gè)末端向下部面彎曲而形成。

6.如權(quán)利要求1所述的背光單元，其特征在于，

所述一對(duì)引腳以圍繞所述基板的兩個(gè)末端的方式從所述基板的上部面向下部面延伸形成。

7.一種側(cè)發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，包括：

基板；

一對(duì)引腳，形成于所述基板的兩個(gè)末端；

發(fā)光二極管芯片，貼裝于所述基板的上部；

反射部，以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面的方式形成；

波長轉(zhuǎn)換部，形成于所述發(fā)光二極管芯片和反射部的上部，

其中，所述側(cè)發(fā)光二極管封裝件的厚度為0.3T。

8.如權(quán)利要求7所述的側(cè)發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，

所述反射部以覆蓋貼裝有所述發(fā)光二極管芯片的基板的方式形成。

9.如權(quán)利要求7所述的側(cè)發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，

所述反射部以與所述基板相隔的狀態(tài)形成。

10.如權(quán)利要求9所述的側(cè)發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，

所述反射部以所述反射部的末端與所述一對(duì)引腳的末端對(duì)齊的寬度形成，

所述波長轉(zhuǎn)換部以覆蓋所述反射部的整個(gè)上部的方式形成。

11.如權(quán)利要求10所述的側(cè)發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，

所述一對(duì)引腳在所述基板的兩個(gè)末端向下部面彎曲而形成。

12.如權(quán)利要求7所述的側(cè)發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，

所述一對(duì)引腳以圍繞所述基板的兩個(gè)末端的方式從所述基板的上部面向下部面延伸形成。