[發明專利]多孔二氧化硅系顆粒和清潔用化妝品

有效

• 申請號: 201580055639.2
• 申請日: 2015-11-05
• 公開（公告）號: CN106794995B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 渡邊慧;榎本直幸;三好康敬;小松通郎
• 申請（專利權）人: 日揮觸媒化成株式會社
• 主分類號: C01B33/157
• 分類號: C01B33/157;A61K8/25;A61Q19/10
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 周善來,李雪春

1.一種多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，

(i)平均圓度處于0.1～0.5的范圍，

(ii)微孔容積(Pv)處于1.0～2.0ml/g的范圍，

(iii)眾數直徑(D_m)處于50～600μm的范圍，

(iv)最大粒徑(D₁₀₀)與眾數直徑(D_m)之比(D₁₀₀/D_m)為3.0以下。

2.根據權利要求1所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，所述多孔二氧化硅系顆粒的用1.0～1.4KPa涂擦30秒鐘后的中位徑(D_R50)處于0.5～25μm的范圍，最大粒徑(D_R100)處于1～100μm的范圍。

3.根據權利要求1或2所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，所述多孔二氧化硅系顆粒的最大微孔徑(PD₁₀₀)與最小微孔徑(PD₀)之比(PD₁₀₀/PD₀)為5～10。

4.根據權利要求1或2所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，當對所述多孔二氧化硅系顆粒施加0.5gf的壓縮力f1時，產生0.5～3μm的位移。

5.根據權利要求4所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，當對所述多孔二氧化硅系顆粒施加以0.21gf/sec的比例增加到2.5gf的壓縮力時，產生5次以上的0.01～1.0μm的臺階狀的位移。

6.根據權利要求4所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，當把對所述多孔二氧化硅系顆粒施加2.5gf的壓縮力f2時的位移量設為d2(μm)時，壓縮位移的斜率(f2/d2)處于0.3～2.0的范圍。

7.根據權利要求5所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，當對所述多孔二氧化硅系顆粒施加以0.21gf/sec的比例增加的壓縮力時，產生多次臺階狀的位移，并且最初產生10μm以上的位移量的壓縮力f3處于5～40gf的范圍。

8.根據權利要求7所述的多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，當將在所述壓縮力f3(gf)下發生10μm以上的壓縮位移之前的位移量設為d3(μm)時，壓縮位移的斜率(f3/d3)處于0.3～1.25的范圍。

9.一種多孔二氧化硅系顆粒，其特征在于，

(i)平均圓度為0.1～0.5，

(ii)微孔容積為1～2ml/g，

(iii)中位徑(D₅₀)為50～500μm，

(iv)最大粒徑(D₁₀₀)與中位徑(D₅₀)之比(D₁₀₀/D₅₀)為3.0以下，

(v)用250～350g的負荷涂擦后的中位徑(D_R50)為0.5～25μm。

10.一種清潔用化妝品，其特征在于，所述清潔用化妝品包含權利要求1～9中任意一項所述的多孔二氧化硅系顆粒以及清潔用化妝品成分。