[發(fā)明專利]用于分集化及缺陷發(fā)現(xiàn)的動態(tài)分格有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580055533.2 | 申請日: | 2015-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN106796180B | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·普利哈爾;V·阿南塔 | 申請(專利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/88 | 分類號: | G01N21/88;G01N21/95;G01N21/956 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 分集 缺陷 發(fā)現(xiàn) 動態(tài) | ||
本發(fā)明提供用于產(chǎn)生晶片的缺陷樣本的方法及系統(tǒng)。一種方法包含將在晶片上檢測的缺陷分離到若干分格中,所述分格在所述缺陷的一或多個第一屬性的第一集合的值上具有分集。所述方法還包含基于所述缺陷的一或多個第二屬性的第二集合中的分集而從所述分格中的一或多者獨立地選擇所述分格內(nèi)的缺陷。接著,使用所述選定缺陷來創(chuàng)建所述晶片的缺陷樣本。以此方式,可容易地選擇具有多個屬性的分集化值的缺陷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般來說涉及用于產(chǎn)生晶片的缺陷樣本的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
以下描述及實例并非由于其包含于此章節(jié)中而被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。
在晶片檢驗處方的設(shè)置期間的最重要任務(wù)中的一者是識別可在晶片上檢測的盡可能多的缺陷類型。由于自動化處方設(shè)置及調(diào)諧變得較重要,因此對針對此優(yōu)化而自動識別缺陷的良好集合的需要也變得越來越重要。在不具有良好訓(xùn)練集合的情況下,自動化優(yōu)化無法很好地起作用。另外,在制造斜升期間,當(dāng)高的且未知的缺陷率是問題時,識別晶片上的所有缺陷同樣重要。在此情況下,主要將關(guān)注放在危險的缺陷上。
隨著光學(xué)檢驗中的挑戰(zhàn)增加,對開發(fā)實現(xiàn)最大缺陷類型分集的有效取樣算法的需要已增大。由于所關(guān)注缺陷(DOI)的大小縮減,因此光學(xué)檢驗盡力維持對這些缺陷的差分靈敏度。為實現(xiàn)所要靈敏度,檢驗往往較少依賴于復(fù)雜的缺陷檢測算法且較多依賴于利用缺陷性質(zhì)(或?qū)傩?的資源的復(fù)雜滋擾(nuisance)濾波器。然而,調(diào)諧此類濾波器需要代表所有缺陷類型的缺陷群體。
當(dāng)前用以從群體對缺陷取樣的一些方法的實例描述于以下各項中:發(fā)布于2001年7月24日的頒予西蒙斯(Simmons)的美國專利第6,265,232號、發(fā)布于2003年9月2日的頒予西蒙斯的美國專利第6,613,590號,發(fā)布于2004年9月14日的頒予細(xì)谷(Hosoya)等人的美國專利第6,792,367號、發(fā)布于2005年5月10日的頒予西蒙斯的美國專利第6,890,775號及發(fā)布于2011年3月22日的頒予澀谷(Shibuya)等人的美國專利第7,912,276號,以及公開于2005年7月21日的頒予西蒙斯的美國專利申請公開案第2005/0158887號及公開于2008年11月27日的頒予內(nèi)馬蒂(Nehmadi)等人的美國專利申請公開案第2008/0295048號,所有所述專利如同全面陳述于本文中一般以引用的方式并入。
因此,開發(fā)用于產(chǎn)生可用于上文所描述的一或多個應(yīng)用的晶片的缺陷樣本的系統(tǒng)及/或方法將為有利的。
發(fā)明內(nèi)容
各種實施例的以下描述不應(yīng)以任何方式解釋為限制所附權(quán)利要求書的標(biāo)的物。
一個實施例涉及一種用于產(chǎn)生缺陷樣本的計算機實施的方法。所述方法包含獲取所述晶片的檢驗結(jié)果。所述檢驗結(jié)果包含通過檢驗過程而在所述晶片上檢測的缺陷的信息。所述信息至少包含所述缺陷的一或多個第一屬性的第一集合及所述缺陷的一或多個第二屬性的第二集合的信息。方法還包含識別一或多個第一屬性的在所述一或多個第一屬性的值中具有最大分集的值。另外,所述方法包含基于所述所識別值而產(chǎn)生用于所述缺陷的分格的集合,使得所述分格中的每一者對應(yīng)于所述值的僅一部分且使得對應(yīng)于所述分格的所述值在所述一或多個第一屬性上具有分集。所述方法進一步包含基于對應(yīng)于所述缺陷的所述一或多個第一屬性的所述值而將所述缺陷分離到所述分格中。方法還包含基于一或多個第二屬性的值的分集而從分格中的一者選擇所述分格中的一者內(nèi)的缺陷及針對所述分格中的至少另一者重復(fù)所述選擇步驟。另外,所述方法包含針對所述晶片創(chuàng)建包含選自所述分格中的所述一者及所述分格中的所述至少另一者的所述缺陷的缺陷樣本。由計算機系統(tǒng)執(zhí)行所述獲取、識別、產(chǎn)生、分離、選擇、重復(fù)及創(chuàng)建步驟。
可如本文中進一步所描述來執(zhí)行上文所描述的方法。另外,上文所描述的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外,上文所描述的所述方法可通過本文中所描述的所述系統(tǒng)中的任一者來執(zhí)行。
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- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 知識發(fā)現(xiàn)裝置、知識發(fā)現(xiàn)程序和知識發(fā)現(xiàn)方法
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- 對等發(fā)現(xiàn)
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- 漏洞發(fā)現(xiàn)裝置、漏洞發(fā)現(xiàn)方法以及存儲介質(zhì)
- 用于提供虛擬場景的裝置及方法
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