[發明專利]加熱圖像傳感器窗口有效
| 申請號: | 201580055397.7 | 申請日: | 2015-10-06 |
| 公開(公告)號: | CN107078144B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | E·思拉什;S·史沃特;H·加亞默翰 | 申請(專利權)人: | 生物輻射實驗室股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 31100 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 圖像傳感器 窗口 | ||
一種圖像傳感器組件,所述圖像傳感器組件具有定位在圖像傳感器前方的傳感器窗口,具有用于防止在所述傳感器窗口上形成冷凝的結構和/或特性。用于防止形成冷凝的結構包括可具有抗冷凝特性、抗反射特性、導電特性、和/或導熱特性的薄膜。所述傳感器窗口可進一步具有紋理化表面以便對水進行移位從而避免在所述窗口表面上的冷凝形成。所述傳感器窗口、以及一些實施例中的框架可在操作過程中保持在所述圖像傳感器附近的升高溫度以便防止形成冷凝。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2014年10月13日提交的題為“HEATED IMAGE SENSOR WINDOW(加熱圖像傳感器窗口)”的美國臨時申請號62/063,060的優先權的權益,所述申請通過引用結合在此。
技術領域
本發明總體上涉及用于對生物和化學測試和化驗結果進行成像的成像和裝置領域。更具體地,許多實施例涉及一種用于使用化學發光、熒光、或磷光標記來查看電泳凝膠、核酸印跡、蛋白質印跡、Western印跡、或類似的生化測試和化驗的成像裝置。
背景技術
用于查看、記錄和分析生物和化學測試和化驗結果的儀器和裝置系統通常需要儀器,諸如電荷耦合設備(CCD)相機、互補金屬氧化物半導體(CMOS)成像儀、或者其他這種圖像傳感器。這種儀器可進一步將CCD或CMOS相機并入到顯微鏡等中。在這種儀器中,CCD或CMOS相機窗口的表面、或其他玻璃或透明表面可受到環境濕度、濕氣、或在相機或成像傳感器的所述表面上、光學路徑中冷凝的霧氣的影響。到達CCD或CMOS相機或成像儀器的其他這種圖像捕獲傳感器的窗口的這種冷凝可能會降低被成像樣本的質量和準確性。
發明內容
下文呈現了本發明的一些實施例的簡化內容以便提供對本發明的基本理解。本發明內容并非本發明的擴展性概覽。其并不旨在標識本發明的關鍵或重要性元素或描繪本發明的范圍。其唯一目的是以簡化的形式呈現本發明的一些實施例和方面作為隨后呈現的更詳細描述的序言。
本公開的一個實施例總體上涉及一種圖像傳感器組件,所述圖像傳感器組件可包括:冷卻結構,諸如熱電冷卻元件(TEC);圖像傳感器,其中,所述圖像傳感器可沿著被設置為用于查看樣本區域的光學路徑被定位,所述圖像傳感器進一步耦合至所述TEC并且由所述TEC冷卻;以及傳感器窗口,所述傳感器窗口安排在所述圖像傳感器與所述樣本區域之間。在某些方面,所述圖像傳感器組件傳感器窗口可在所述傳感器窗口的外表面上涂覆有防霧涂層。在許多方面,所述圖像傳感器組件被配置成用于對電泳凝膠、核酸印跡、蛋白質印跡、生物發光化驗結果、和/或化學發光化驗結果進行成像。在進一步方面,所述圖像傳感器組件可通過熱源被加熱,所述熱源在某些方面可以是由TEC產生的熱量。在某些方面,所述圖像傳感器組件的所述傳感器窗口可具有大約0.04-1.14W/(m*K)的熱導率(κ)。在其他方面,所述圖像傳感器組件的所述傳感器窗口可具有大約3×10-6-80×10-6(1/K)的線性熱膨脹系數(αL)。
本公開的另一實施例總體上涉及一種圖像傳感器組件,所述圖像傳感器組件可包括冷卻結構,諸如熱電冷卻元件(TEC);以及圖像傳感器,其中,所述圖像傳感器可沿著用于查看樣本區域的光學路徑被定位,所述圖像傳感器進一步耦合至TEC并且由所述TEC冷卻;以及加熱框架,所述加熱框架安排在環繞所述圖像傳感器與所述樣本區域之間的所述光學路徑的至少一部分的位置處,所述加熱框架對由TEC產生的熱量進行傳導以便形成在所述圖像傳感器與所述樣本區域之間具有受熱空氣的空間區域。在某些方面,所述圖像傳感器組件的所述加熱框架可通過框架支柱懸掛在距所述圖像傳感器大約五毫米(5mm)的位置處。在許多方面,圖像傳感器組件被配置成用于對電泳凝膠、核酸印跡、蛋白質印跡、生物發光化驗結果、和/或化學發光化驗結果進行成像。在進一步方面,所述圖像傳感器組件的所述加熱框架可利用由TEC產生的熱量而被加熱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





