[發(fā)明專利]利用多級光照射的透明導(dǎo)電性膜的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580054937.X | 申請日: | 2015-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN107112093B | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金學(xué)成;鄭完皓;金東鉉 | 申請(專利權(quán))人: | 天津奈博科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人: | 薛琦;沈佳麗 |
| 地址: | 300353 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 多級 照射 透明 導(dǎo)電性 制造 方法 | ||
1.一種透明導(dǎo)電性膜的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步驟:
a)在基板上涂覆包含具有光學(xué)活性的導(dǎo)電性納米線及有機(jī)粘結(jié)劑的導(dǎo)電性納米線分散液,所述導(dǎo)電性納米線具有表面等離子體;
b)在涂覆后的導(dǎo)電性納米線上照射包括第一紫外光的第一光;及
c)在步驟b后,在導(dǎo)電性納米線上照射包括脈沖型第一白光的第二光;
其中,在照射所述第一光時,所述第一紫外光的強(qiáng)度使得所述有機(jī)粘合劑不被所述第一紫外光本身除去,并且所述有機(jī)粘合劑最后通過具有表面等離子體的導(dǎo)電性納米線的光學(xué)活性與第一紫外光的結(jié)合被去除。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述有機(jī)粘結(jié)劑為分子量在5×105以下的天然或合成聚合物。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,在步驟a)之后,至少在步驟b)之前,所述制造方法還包括以下步驟:
在設(shè)置在基板上的導(dǎo)電性納米線上照射包括紅外光IR的第三光。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第二光還包括第二紫外光。
5.如權(quán)利要求1~4中任意一項(xiàng)所述的制造方法,其特征在于,所述第一光還包括脈沖型第二白光。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,照射所述第一光時,通過具有表面等離子體的導(dǎo)電性納米線的光學(xué)活性與第一光的結(jié)合,分解并去除至少存在于基板上涂覆的導(dǎo)電性納米線之間的接觸區(qū)域上的部分或全部有機(jī)粘結(jié)劑。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,照射所述第一光時,通過具有表面等離子體的導(dǎo)電性納米線的光學(xué)活性與第一光的結(jié)合,選擇性去除存在于導(dǎo)電性納米線之間的接觸區(qū)域上的有機(jī)粘結(jié)劑。
8.如權(quán)利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述第一白光及第二白光分別包括具有對應(yīng)于所述導(dǎo)電性納米線的紫外-可見光譜中導(dǎo)電性納米線的吸收峰值的波長的光。
9.如權(quán)利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述第二白光滿足下述關(guān)系式3;
關(guān)系式3
I1PL2(exp)<I1PL2(0);
在關(guān)系式3中,I1PL2(exp)為照射第一光時的第二白光的強(qiáng)度,I1PL2(0)為以10mes的脈寬向基準(zhǔn)基板施加第二白光的單一脈沖,以使得導(dǎo)電性納米線之間的接觸區(qū)域形成熔接時的最小強(qiáng)度,其中基準(zhǔn)基板由涂覆和干燥與所述導(dǎo)電性納米線分散液相同但不含有機(jī)粘結(jié)劑的基準(zhǔn)分散液形成。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述第二白光的照射采用多脈沖照射。
11.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一白光滿足下述關(guān)系式4;
關(guān)系式4
I1PL1(0)≤I1PL1(exp)<I1PL1(c)
在關(guān)系式4中,I1PL1(exp)為照射第二光時的第一白光的強(qiáng)度,I1PL1(0)為以10mes的脈寬向基準(zhǔn)基板施加第一白光的單一脈沖,以使得導(dǎo)電性納米線之間的接觸區(qū)域形成熔接時的最小強(qiáng)度,其中基準(zhǔn)基板由涂覆和干燥與所述導(dǎo)電性納米線分散液相同但不含有機(jī)粘結(jié)劑的基準(zhǔn)分散液形成,I1PL1(c)為以10mes的脈寬向基準(zhǔn)基板施加第一白光的單一脈沖,使得單個導(dǎo)電性納米線在沿導(dǎo)電性納米線的長軸方向上部分熔融而被切割成兩個以上的納米結(jié)構(gòu)時的最小強(qiáng)度。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法,其特征在于,所述第一白光的照射采用單脈沖照射。
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