[發(fā)明專利]基板液體處理方法、基板液體處理裝置以及存儲有基板液體處理程序的計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580054445.0 | 申請日: | 2015-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN106796876B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中森光則;南輝臣;大石幸太郎;野中純 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液體 處理 方法 裝置 以及 存儲 有基板 程序 計算機(jī) 可讀 介質(zhì) | ||
1.一種基板液體處理方法,其特征在于,
進(jìn)行以下工序:液體處理工序,利用處理液對基板進(jìn)行液體處理;沖洗處理工序,利用沖洗液對進(jìn)行液體處理后的所述基板進(jìn)行沖洗處理;以及疏水處理工序,利用疏水化液對進(jìn)行沖洗處理后的所述基板進(jìn)行疏水處理,
接著,進(jìn)行以下工序:置換處理工序,利用置換促進(jìn)液對進(jìn)行疏水處理后的所述基板進(jìn)行置換處理;以及清洗處理工序,利用清洗液對進(jìn)行疏水處理后的所述基板進(jìn)行清洗處理,
之后,進(jìn)行干燥處理工序,利用揮發(fā)性比所述清洗液的揮發(fā)性高的干燥液來置換所述清洗液,并且將所述干燥液從所述基板去除,
其中,在從所述置換處理工序向所述清洗處理工序轉(zhuǎn)移時,始終同時進(jìn)行所述置換處理工序和所述清洗處理工序,
在從所述清洗處理工序向所述干燥處理工序轉(zhuǎn)移時,以使所述清洗液與所述干燥液的混合比率階梯式地或連續(xù)地變化的方式向所述基板供給所述清洗液和所述干燥液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理方法,其特征在于,
使用純水來作為所述清洗液,使用異丙醇來作為所述干燥液和所述置換促進(jìn)液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理方法,其特征在于,
在所述置換處理工序中向所述基板供給的所述置換促進(jìn)液的流量比在所述干燥處理工序中向所述基板供給的所述干燥液的流量多。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理方法,其特征在于,
在所述干燥處理工序中,在濕度比所述清洗處理工序中的濕度低的低濕度狀態(tài)下,將所述干燥液供給到所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理方法,其特征在于,
將所述置換促進(jìn)液、所述清洗液以及所述干燥液從同一噴嘴向所述基板供給。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理方法,其特征在于,
在從所述置換處理工序向所述清洗處理工序轉(zhuǎn)移時,以使所述置換促進(jìn)液與所述清洗液的混合比率階梯式地或連續(xù)地變化的方式向所述基板供給所述置換促進(jìn)液和所述清洗液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液體處理方法,其特征在于,
所述干燥處理工序包括以下工序:在所述基板上形成從向所述基板上供給所述清洗液的供給位置朝向所述基板的外周緣的條狀流;以及向比所述清洗液的供給位置更靠所述基板的中心側(cè)的位置供給所述干燥液。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板液體處理方法,其特征在于,
形成所述清洗液的條狀流的工序包括以下工序:使所述清洗液的供給位置從所述基板的中心側(cè)向外周側(cè)移動。
9.一種基板液體處理方法,其特征在于,
進(jìn)行以下工序:液體處理工序,利用處理液對基板進(jìn)行液體處理;沖洗處理工序,利用沖洗液對進(jìn)行液體處理后的所述基板進(jìn)行沖洗處理;以及疏水處理工序,利用疏水化液對進(jìn)行沖洗處理后的所述基板進(jìn)行疏水處理,
接著,進(jìn)行以下工序:置換處理工序,利用置換促進(jìn)液對進(jìn)行疏水處理后的所述基板進(jìn)行置換處理;以及清洗處理工序,利用清洗液對進(jìn)行疏水處理后的所述基板進(jìn)行清洗處理,
之后,進(jìn)行干燥處理工序,利用揮發(fā)性比所述清洗液的揮發(fā)性高的干燥液來置換所述清洗液,并且將所述干燥液從所述基板去除,
其中,在從所述置換處理工序向所述清洗處理工序轉(zhuǎn)移時,以使所述置換促進(jìn)液與所述清洗液的混合比率階梯式地或連續(xù)地變化的方式向所述基板供給所述置換促進(jìn)液和所述清洗液,
在從所述清洗處理工序向所述干燥處理工序轉(zhuǎn)移時,以使所述清洗液與所述干燥液的混合比率階梯式地或連續(xù)地變化的方式向所述基板供給所述清洗液和所述干燥液。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580054445.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





