[發(fā)明專利]關(guān)于清潔離子源的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580054036.0
• 申請(qǐng)日: 2015-09-21
• 公開（公告）號(hào): CN107107127B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·約翰·奎托斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 克雷托斯分析有限公司
• 主分類號(hào): B08B7/00
• 分類號(hào): B08B7/00;H01J49/16
• 代理公司: 上海華誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

一種清潔離子源的方法。該方法包括：在反光鏡的第一反射面，將具有第一波長(zhǎng)帶內(nèi)波長(zhǎng)的光反射到離子源的表面上以使污染物材料從離子源的表面被解吸；在反光鏡的第二反射面，將具有第二波長(zhǎng)帶內(nèi)的波長(zhǎng)并且來自離子源的表面的光反射向用于生成離子源的表面的圖像的成像裝置，其中具有第二波長(zhǎng)帶內(nèi)波長(zhǎng)的光在在反光鏡的第二反射面上被反射之前穿過反光鏡的第一反射面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及關(guān)于清潔離子源的方法和裝置。

背景技術(shù)

飛行時(shí)間(“TOF”)質(zhì)譜是用于通過加速離子測(cè)量離子的質(zhì)量/電荷比值以及測(cè)量其飛行至離子檢測(cè)器的時(shí)間的分析技術(shù)。

基質(zhì)輔助激光解吸/電離，常常被稱為“MALDI”，是在其中通常激光器被用于在樣品材料以及光吸收矩陣的(通常結(jié)晶的)混合物處發(fā)射光以電離樣品材料的電離技術(shù)。與MALDI一起使用的樣品材料典型地包括例如生物分子(例如蛋白質(zhì))的分子，大的有機(jī)分子和/或聚合物。光吸收矩陣通常被用于保護(hù)這種分子避免被來自激光器的光損害或者破壞。產(chǎn)生的典型地具有幾千道爾頓質(zhì)量的離子，然后被加速至高動(dòng)能，典型的大約20千電子伏。通常，被配置以通過MALDI產(chǎn)生離子的離子源被稱為“MALDI離子源”。MALDI離子源典型地包括用于通過在樣品材料以及光吸收矩陣的混合物處發(fā)射光來電離樣品材料的激光器。

通常，當(dāng)MALDI離子源在使用時(shí)，MALDI離子源的激光器在包含在樣品點(diǎn)中的樣品材料以及光吸收矩陣的混合物處發(fā)射(例如UV)光脈沖以從樣品點(diǎn)噴射一縷縷電離和非電離的(即中性的)樣品材料(分析物)以及光吸收矩陣。包含在該噴流中的電離材料(大部分樣品材料的離子以及一些光吸收矩陣的離子)將通常通過由一個(gè)或多個(gè)MALDI離子源的電極產(chǎn)生的電場(chǎng)被引導(dǎo)/加速以便穿過電極中的縫隙，例如用于隨后的通過離子檢測(cè)器的檢測(cè)。然而，包含在該噴流中的非電離材料(大部分非電離的光吸收矩陣以及一些非電離的樣品材料)將通常繼續(xù)從樣品點(diǎn)發(fā)散直到其沉積在離子源附近的表面上，例如MALDI離子源的電極的表面。

隨著時(shí)間的過去，非電離材料在樣品點(diǎn)附近的表面上，尤其是在MALDI離子源的電極的表面上，積累以形成可能隨著時(shí)間充電并不利地影響MALDI離子源操作的污染物材料的絕緣層。特別地，在電極上的污染物材料的絕緣層可以扭曲通過電極產(chǎn)生的電場(chǎng)以至于降低了使用MALDI離子源的質(zhì)譜儀的靈敏性或者分辯率。此時(shí)MALDI離子源的電極將通常需要清潔。

多年以來清潔MALDI離子源電極的主要方法是給包含電極的抽成真空的殼體開孔并打開抽成真空的殼體以允許電極在原位置被清潔或者完全移開用于徹底的清潔。在兩種情形下，除了清潔時(shí)間，通常需要幾個(gè)小時(shí)來對(duì)MALDI離子源的殼體(曾經(jīng)被封閉)恢復(fù)真空并進(jìn)行高壓調(diào)節(jié)、通常對(duì)MALDI離子源用于質(zhì)譜分析所必需的儀器調(diào)整以及質(zhì)量校準(zhǔn)程序。

在許多應(yīng)用中(例如生物化學(xué))存在對(duì)目前可以通過能夠以1千赫茲或以上的重復(fù)率運(yùn)行的MALDI離子源的引進(jìn)而實(shí)現(xiàn)的更高處理量質(zhì)譜儀的日益增長(zhǎng)的需求。這提高了堆積在MALDI離子源電極上的污染的速率，以及其必須被清潔的頻率，到如此程度以至于每次其電極需要清潔時(shí)給MALDI離子源開孔已通常是不實(shí)際的。

這些考慮使找到清潔MALDI離子源電極而不需要給MALDI離子源的抽成真空的殼體開孔的有效方法是合乎需要的。

不同的方法被考慮以清潔MALDI離子源的電極而不需要給MALDI離子源的抽成真空的殼體開孔。一些諸如此類的方法例如在GB2486628的背景部分被描述。

在GB2486628的主要部分中，提出有通過將UV光導(dǎo)向表面以至于污染物材料從表面解吸來清潔離子源的至少一個(gè)表面的方法。以這種方式，離子源的至少一個(gè)表面可以以簡(jiǎn)單的方式被清潔，而不必顯著地加熱表面并且不必給離子源的抽成真空的殼體開孔。

本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)雖然GB2486628中提出的方法運(yùn)作良好，但GB2486628中提出的清潔方法的有效性在相對(duì)少的數(shù)量的清潔周期之后可能開始劣化。該問題在下面更詳細(xì)地描述(參考圖2和圖3)。