[發明專利]關于清潔離子源的方法和裝置

有效

• 申請號: 201580054036.0
• 申請日: 2015-09-21
• 公開（公告）號: CN107107127B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 馬克·約翰·奎托斯
• 申請（專利權）人: 克雷托斯分析有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;H01J49/16
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

1.一種清潔離子源的方法，其特征在于，所述方法包括：

在反光鏡的第一反射面，將具有第一波長帶內波長的紫外光反射到所述離子源的表面上，以使污染物材料從所述離子源的所述表面被解吸，其中所述紫外光具有10nm至400nm范圍內的波長并且由激光器產生；

在所述反光鏡的第二反射面，將具有第二波長帶內的多個波長并且來自所述離子源的所述表面的可見光反射向用于使用所述可見光生成所述離子源的所述表面的圖像的成像裝置，其中所述可見光具有390nm至700nm范圍內的多個波長，并且由與所述激光器分開的光源產生，所述光源用所述可見光照明所述離子源的所述表面，其中所述可見光在所述反光鏡的所述第二反射面上被反射之前穿過所述反光鏡的所述第一反射面；以及

其中，所述反光鏡的所述第一和第二反射面相對于用于電離樣品材料的激光器為凹面。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子源包括用于通過在樣品材料上發射光而電離所述樣品材料的激光器，并且具有所述第一波長帶內波長的所述紫外光通過用于電離所述樣品材料的所述激光器被產生。

3.根據如上所述的權利要求中的任何一項所述的方法，其特征在于，所述反光鏡的所述第一反射面對具有所述第一波長帶內波長的所述紫外光具有99％或者更大的反射率。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子源包括用于生成所述樣品的圖像的成像裝置，其中用于生成所述樣品的圖像的所述成像裝置同樣被用作用于生成所述離子源的所述表面的圖像的所述成像裝置。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子源的所述表面是所述離子源的電極的表面。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括，在所述成像裝置，使用具有所述第二波長帶內多個波長的所述可見光生成所述離子源的所述表面的圖像。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在具有所述第二波長帶內多個波長的所述可見光在所述反光鏡的所述第二反射面被反射的同時，具有所述第一波長帶內波長的所述紫外光在所述反光鏡的所述第一反射面被反射。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括移動所述反光鏡以使具有所述第一波長帶內波長的所述紫外光掃過所述離子源的所述表面。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二反射面具有相同曲率。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二反射面具有不同曲率。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反光鏡被安裝在用于支撐將通過所述離子源被電離的樣品材料的樣品支架上，并且其中所述反光鏡被安裝在所述樣品支架上以至于所述第一和第二反射面與通過所述樣品支架支撐的樣品相比在距用于電離樣品材料的激光器不同的距離上。

12.一種用于產生電離的樣品材料的離子源，其特征在于，所述離子源包括反光鏡，所述反光鏡包括第一反射面和第二反射面，所述離子源被配置為通過包括以下步驟的方法被清潔：

在所述反光鏡的所述第一反射面，將具有第一波長帶內波長的紫外光反射到所述離子源的表面上，以使污染物材料從所述離子源的所述表面被解吸，其中所述紫外光具有10nm至400nm范圍內的波長并且由激光器產生；

在所述反光鏡的所述第二反射面，將具有第二波長帶內的多個波長并且來自所述離子源的所述表面的可見光反射向用于使用所述可見光生成所述離子源的所述表面的圖像的成像裝置，其中所述可見光具有390nm至700nm范圍內的多個波長，并且由與所述激光器分開的光源產生，所述光源用所述可見光照明所述離子源的所述表面，其中所述可見光在所述反光鏡的所述第二反射面上被反射之前穿過所述反光鏡的所述第一反射面；以及

其中，所述反光鏡的所述第一和第二反射面相對于用于電離樣品材料的激光器為凹面。