[發明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物

有效

• 申請號: 201580053983.8
• 申請日: 2015-10-16
• 公開（公告）號: CN107111234B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 西田登喜雄;藤谷德昌;坂本力丸
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;C08G59/22;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 馬妮楠;段承恩

本發明的課題是提供一種用于形成抗蝕劑下層膜的組合物，其能夠形成表示抗蝕劑圖案的線寬的不均勻度的LWR比以往小的抗蝕劑圖案。本發明的解決方法是一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含聚合物、具有被叔丁氧基羰基保護了的氨基和未被保護的羧基的化合物或該化合物的水合物、以及溶劑，所述化合物或該化合物的水合物相對于該聚合物100質量份為0.1質量份～30質量份。

技術領域

本發明涉及一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其以相對于聚合物而言規定的比例含有具有被叔丁氧基羰基(以下在本說明書中簡稱為Boc基。)保護了的氨基和未被保護的羧基的化合物。此外，本發明涉及一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，即使在形成薄的膜厚(例如20nm以下)的抗蝕劑下層膜的情況下，其對基板的涂布性也優異，進而即使在薄膜的情況下，也會改良所形成的抗蝕劑的線圖案線寬的不均勻度的大小。

背景技術

專利文獻1公開了一種抗蝕劑下層膜(防反射膜)，其不與在上層形成的抗蝕劑膜混合，在使用ArF準分子激光進行曝光的情況下，可獲得期望的光學參數(k值、n值)，而且可獲得相對于抗蝕劑膜而言大的干蝕刻速度的選擇比。

另一方面，對于采用了作為進一步微細加工技術的EUV(極紫外線的簡稱，波長13.5nm)曝光的光刻而言，雖然沒有來自基板的反射，但是與圖案微細化相伴的抗蝕劑圖案側壁的粗糙成為問題。因此，進行了眾多關于用于形成矩形性高的抗蝕劑圖案形狀的抗蝕劑下層膜的研究。作為形成EUV、X射線、電子射線等高能量射線曝光用抗蝕劑下層膜的材料，公開了排氣的產生降低了的抗蝕劑下層膜形成用組合物(專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2009/008446號

專利文獻2：國際公開第2010/061774號

發明內容

發明所要解決的課題

作為對抗蝕劑下層膜所要求的特性，可舉出例如，不發生與在上層形成的抗蝕劑膜的混合(不溶于抗蝕劑溶劑)、具有與抗蝕劑膜相比大的干蝕刻速度。

在伴隨EUV曝光的光刻的情況下，所形成的圖案線寬變為32nm以下，EUV曝光用的抗蝕劑下層膜可以比以往膜厚薄地形成而被使用。然而，由于將抗蝕劑下層膜制成薄膜，在其上形成的抗蝕劑圖案的表示線寬不均勻度的LWR(線寬粗糙度，Line Width Roughness)惡化成為問題。

本發明的目的在于，通過解決上述問題，從而獲得能夠形成期望的抗蝕劑圖案的、用于形成抗蝕劑下層膜的組合物。

用于解決課題的手段

本發明涉及一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，包含：

聚合物，

具有被Boc基保護了的氨基和未被保護的羧基的化合物或該化合物的水合物，以及

溶劑，

所述化合物或該化合物的水合物相對于該聚合物100質量份為0.1質量份～30質量份。

前述化合物由例如下述式(1a)或式(1b)表示。