[發(fā)明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580053983.8
• 申請日: 2015-10-16
• 公開（公告）號: CN107111234B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 西田登喜雄;藤谷德昌;坂本力丸
• 申請（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;C08G59/22;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 馬妮楠;段承恩

1.一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，包含：

聚合物，

具有被叔丁氧基羰基保護(hù)了的氨基和未被保護(hù)的羧基的化合物或該化合物的水合物，以及

溶劑，

所述化合物或該化合物的水合物相對于該聚合物100質(zhì)量份為0.1質(zhì)量份～30質(zhì)量份,

所述化合物是下述式(1a)或式(1b)所示的化合物，

式中，A表示碳原子數(shù)為1～6的直鏈狀烴基、脂環(huán)式烴基、芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基，該直鏈狀烴基可以具有至少1個雜原子，B表示氫原子或碳原子數(shù)為1～21的有機(jī)基團(tuán)，該有機(jī)基團(tuán)可以具有至少1個選自羰基、-OC(＝O)-基、-O-基、-S-基、磺酰基和-NH-基中的連接基團(tuán)、和/或至少1個選自羥基、硫醇基、鹵代基、氨基和硝基中的取代基，R₀表示氫原子或甲基，Z₁和Z₂分別獨(dú)立地表示氫原子、羥基、鹵代基、氨基或硝基，m表示0～2，n表示1～4的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述聚合物具有下述式(2′)所示的結(jié)構(gòu)單元和式(3′)所示的結(jié)構(gòu)單元，

式中，Q₃表示可具有鹵代基作為取代基的碳原子數(shù)為1～13的烴基、或可具有碳原子數(shù)1～6的烷基作為取代基的芳香族環(huán)，2個v分別獨(dú)立地表示0或1，

式中，Q₄表示可具有羥基或鹵代基作為取代基的碳原子數(shù)為1～13的烴基、或可具有碳原子數(shù)1～6的烷基或羥基作為取代基的芳香族環(huán)，2個w分別獨(dú)立地表示0或1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述聚合物在聚合物鏈的末端具有下述式(4)所示的結(jié)構(gòu)，

式中，R₁、R₂和R₃分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)為1～13的直鏈狀或支鏈狀的烷基、鹵代基或羥基，所述R₁、R₂和R₃中的至少1個表示所述烷基，Ar表示苯環(huán)、萘環(huán)或蒽環(huán)，2個羰基分別與所述Ar所表示的環(huán)的相鄰的2個碳原子結(jié)合，X表示可具有碳原子數(shù)為1～3的烷氧基作為取代基的碳原子數(shù)為1～6的直鏈狀或支鏈狀的烷基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含相對于所述聚合物100質(zhì)量份為1質(zhì)量份～100質(zhì)量份的交聯(lián)劑、和相對于該交聯(lián)劑100質(zhì)量份為0.1質(zhì)量份～25質(zhì)量份的交聯(lián)催化劑。