[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201580053494.2
• 申請日: 2015-08-05
• 公開（公告）號: CN106797105B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 上田直人;大森弘治;吉田隆幸;本藤拓磨
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01L21/60;H01L23/36;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01S5/042
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 柯瑞京

本公開所涉及的半導體裝置具有：導電性的第1電極塊、導電性的輔助基座、絕緣層、半導體元件、導電性的凸塊和導電性的第2電極塊。輔助基座被設置于第1電極塊的上表面的第1區域，電連接于第1電極塊。半導體元件被設置于輔助基座之上，具有電連接于輔助基座的第1電極。凸塊被設置于與半導體元件的第1電極相反的一側的第2電極的上表面，電連接于第2電極。此外，第2電極塊的下表面在第3區域，經由具有導電性的金屬層而電連接于凸塊。此外，在金屬層與凸塊之間，設置具有導電性的金屬片。

技術領域

本公開涉及半導體裝置，特別地，涉及搭載有發熱較大的半導體元件的半導體裝置。

背景技術

近年來，在使用了功率半導體元件或半導體激光元件的半導體裝置中，流過半導體元件的電流變大，伴隨于此，來自半導體元件的發熱量變多。例如，用于激光加工的高輸出的半導體激光裝置為了得到高輸出的激光，流過被搭載的半導體激光元件的電流較大，伴隨于此，半導體激光元件的發熱量較多。若半導體激光元件變成高溫，則產生激光輸出降低這一性能劣化。為了半導體激光元件的性能的穩定化以及防止異常加熱，半導體激光裝置成為具有從半導體激光元件的兩面釋放熱量的冷卻功能的構造。

使用圖18，對專利文獻1中所述的現有的半導體激光裝置900進行說明。圖18是現有的半導體激光裝置900的立體圖以及側視圖。

如圖18所示，現有的半導體激光裝置900在散熱片901的端部的上方設置輔助基座902、LD(Laser Diode，激光二極管)桿903。在散熱片901的上方即未設置輔助基座902的區域，設置絕緣層904。在LD桿903的上方形成凸塊905，在絕緣層904以及凸塊905的上方設置引出電極906。進一步地，在LD桿903與引出電極906之間，填充材料907被填充到不存在凸塊905的空間。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-86883號公報

發明內容

現有的半導體激光裝置900在LD桿903與引出電極906之間，填充由Ag糊膏或者焊錫材料構成的填充材料907，使熱傳導性提高。但是，若由Ag糊膏或焊錫材料填充LD桿903與引出電極906之間，則由于LD桿903與引出電極906的熱膨脹率的差異，可能在引出電極906與填充材料907的界面、填充材料907的內部產生龜裂。若產生這樣的龜裂，則熱傳導性降低，并且LD桿903與引出電極906之間的電連接降低(即，電阻增加)，導致半導體激光裝置的性能降低或故障。

為了解決上述問題，本公開所涉及的半導體裝置具有：第1電極塊、輔助基座、絕緣層、半導體元件、凸塊和第2電極塊。第1電極塊具有導電性。輔助基座被設置于第1電極塊的上表面的第1區域，電連接于第1電極塊，具有導電性。絕緣層被設置于第1電極塊的上表面且與第1區域不同的第2區域。半導體元件被設置于輔助基座之上，具有電連接于輔助基座的第1電極。凸塊被設置于與半導體元件的第1電極相反的一側的第2電極的上表面，電連接于第2電極，具有導電性。第2電極塊被設置于凸塊以及絕緣層之上，具有導電性。此外，第2電極塊的下表面在第3區域，經由具有導電性的金屬層而電連接于凸塊。此外，第2電極塊的下表面在第4區域，被搭載于絕緣層。此外，在金屬層與凸塊之間，設置具有導電性的金屬片。

如以上那樣，本公開通過在凸塊與第2電極塊之間設置金屬層以及金屬片，能夠緩和因半導體元件與第2電極塊的熱膨脹率的差異而引起的應力，并且穩定地確保半導體元件與第2電極塊的電連接。

附圖說明

圖1是表示實施方式1中的半導體激光裝置1的示意結構的剖視圖。

圖2是表示實施方式1中的半導體激光裝置1的制造方法的立體圖。

圖3是表示實施方式1中的半導體激光裝置1的制造方法的立體圖。