[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580053494.2
• 申請(qǐng)日: 2015-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN106797105B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上田直人;大森弘治;吉田隆幸;本藤拓磨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/024
• 分類號(hào): H01S5/024;H01L21/60;H01L23/36;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01S5/042
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 柯瑞京

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

第1電極塊，具有導(dǎo)電性；

輔助基座，被設(shè)置于所述第1電極塊的上表面的第1區(qū)域，電連接于所述第1電極塊，具有導(dǎo)電性；

絕緣層，被設(shè)置于所述第1電極塊的上表面且與所述第1區(qū)域不同的第2區(qū)域；

半導(dǎo)體元件，被設(shè)置于所述輔助基座之上，具有電連接于所述輔助基座的第1電極；

凸塊，被設(shè)置于所述半導(dǎo)體元件的與所述第1電極相反的一側(cè)的第2電極的上表面，電連接于所述第2電極，具有導(dǎo)電性；和

第2電極塊，被設(shè)置于所述凸塊以及所述絕緣層之上，具有導(dǎo)電性，

所述第2電極塊的下表面在第3區(qū)域，經(jīng)由具有導(dǎo)電性的金屬層來電連接于所述凸塊，

所述第2電極塊的下表面在第4區(qū)域，被搭載于所述絕緣層，

在所述金屬層與所述凸塊之間，設(shè)置具有導(dǎo)電性的金屬片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬層與所述第3區(qū)域接合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬層在所述第3區(qū)域鍍敷生長。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體元件是輸出激光的半導(dǎo)體激光元件，

所述第1區(qū)域是所述第1電極塊的上表面的端部，

所述第2區(qū)域“コ”字狀地包圍所述第1區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述半導(dǎo)體元件是被輸入60V以上的高電壓的功率半導(dǎo)體元件，

所述第1區(qū)域是所述第1電極塊的上表面的中央部，

所述第2區(qū)域包圍所述第1區(qū)域的整個(gè)周圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1區(qū)域的所述第1電極塊的上表面比所述第2區(qū)域的所述第1電極的上表面低，

所述第2電極塊的下表面是平面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1電極塊的上表面是平面，

所述第3區(qū)域的所述第2電極塊的下表面比所述第4區(qū)域的所述第2電極的下表面高。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬片的主要材料是金。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述凸塊的主要材料是金。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬層的主要材料是金。