[發明專利]柔性基底及其制造方法在審
| 申請號： | 201580051323.6 | 申請日： | 2015-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN106716663A | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發明（設計）人： | 鄭震旭;金玟奭;尹洪 | 申請（專利權）人： | 康寧精密素材株式會社 |
| 主分類號： | H01L51/00 | 分類號： | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人： | 劉燦強,尹淑梅 |
| 地址： | 韓國忠清*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 基底 及其 制造 方法 | ||
1.一種柔性基底，所述柔性基底包括：
柔性基體；
氧化銦錫薄膜，設置在柔性基體上；以及
多個納米顆粒，不連續地分布在氧化銦錫薄膜中。
2.如權利要求1所述的柔性基底，其中，氧化銦錫薄膜包含在其中的Al摻雜ZnO和In摻雜ZnO。
3.如權利要求1所述的柔性基底，其中，多個納米顆粒由從SiO2、TiO2和Al2O3構成的組中選擇的一種金屬氧化物來形成。
4.如權利要求1所述的柔性基底，其中，納米顆粒的表面從氧化銦錫薄膜的表面暴露以與氧化銦錫薄膜的表面齊平。
5.如權利要求1所述的柔性基底，其中，柔性基體由從薄玻璃片、金屬薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和聚酰亞胺構成的組中選擇的一種來形成。
6.如權利要求1所述的柔性基底，其中，柔性基體包括有機發光二極管裝置的覆蓋基底，氧化銦錫薄膜包括充當有機發光二極管裝置的陽極的透明電極。
7.如權利要求6所述的柔性基底，所述柔性基底還包括阻擋層，設置在有機發光二極管裝置的有機發光層與氧化銦錫薄膜之間。
8.一種制造柔性基底的方法，所述方法包括：
在柔性基體上不連續地形成多個納米顆粒；
在設置有多個納米顆粒的柔性基體上沉積氧化銦錫薄膜；以及
對在柔性基體上沉積的氧化銦錫薄膜的表面平坦化。
9.如權利要求8所述的方法，其中，形成多個納米顆粒的步驟包括：
通過旋涂在柔性基體上設置多個納米顆粒；以及
在旋涂之后利用熱或等離子體對多個納米顆粒后處理。
10.如權利要求8所述的方法，其中，在柔性基體上沉積氧化銦錫的步驟包括：
通過濺射或旋涂在柔性基體上沉積氧化銦錫薄膜；以及
利用熱或等離子體對沉積的氧化銦錫薄膜后處理。
11.如權利要求8所述的方法，其中，對在柔性基體上沉積的氧化銦錫薄膜的表面平坦化使得多個納米顆粒的表面暴露于外部。
12.如權利要求8所述的方法，其中，多個納米顆粒由從SiO2、TiO2和Al2O3構成的組中選擇的一種金屬氧化物來形成。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
