[發明專利]傳遞方法和裝置以及計算機程序產品

有效

• 申請號: 201580051087.8
• 申請日: 2015-09-09
• 公開（公告）號: CN107077065B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: M.A.維楚倫
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張同慶;陳嵐

一種將柔性層傳遞至襯底的方法利用了柔性層中的局部凸起，其不與襯底形成接觸。該局部凸起前進到襯底上的對準標記的位置。當需要對準調節時，利用處于合適位置的局部凸起進行對準調節，使得當完全使柔性層迎著襯底前進時，更加可復現的定位是可能的。

技術領域

本發明涉及一種以精確對準機械地使柔性印模接觸到襯底上的方法以及一種使用該接觸方法以便通過利用柔性印模上的壓印圖案將可壓印層壓印到襯底上而壓印襯底的方法。

本發明進一步涉及一種用于執行所述方法的計算機程序產品以及一種實現該計算機程序產品的控制器。

本發明還進一步涉及一種被配置成實現所述方法的裝置。

背景技術

壓印光刻（lithography）作為更傳統的（基于掩模的）光學光刻技術的可行的替代方案正在引起興趣，因為壓印光刻有希望能夠在傳遞至諸如半導體器件的襯底之類的襯底上的圖案中提供更小的特征尺寸。在諸如襯底共形壓印光刻（SCIL）之類的壓印光刻技術中，使在其表面上包括特征圖案的柔性印模與這樣的襯底接觸，所述襯底典型地承載抗蝕劑材料，所述抗蝕劑材料通過特征圖案壓印。抗蝕劑材料隨后被顯影，例如固化，其后，從抗蝕劑材料釋放特征圖案以便在襯底上留下圖案化抗蝕劑層。

這種類型的技術中的一個重要方面是在晶片級區域上實現納米精度覆蓋對準，以便允許對于多層設備制造啟用所謂的“納米壓印”技術。這將允許該技術用于多層設備制造。

先前的方法使用了小面積剛性或者堅硬印模，其然后需要對準和壓印許多次以便填入整個晶片。可替換地，單剛性晶片級印模用來避免印模中的失真，但是這要求將高的壓力和力施加至印模和襯底以便形成共形接觸。此外，在形成接觸之前，印模和襯底需要以最終的精度對準，避免在接觸期間的附加移位和變形，因為一旦這兩個板接觸，那么就不可能校正任何位置誤差。

先前，軟印模壓印光刻方法不能實現低于數十微米的精確覆蓋對準，因為軟印模將引入強烈的失真。然而，已經證明，利用SCIL并且利用適當的印模設計和印模放置工裝（tooling），可以實現無失真壓印和納米精度覆蓋。

SCIL工藝利用了具有可以向其施加真空（負相對壓力）或者正壓力的通道陣列的板。壓力控制將印模吸到板上或者在別的情況下將印模推到目標襯底上。在商業SCIL工具中，對準過程涉及在平坦配置中將印模置于板上，所有通道施加真空。襯底相對于印模對準。然后，應用移位偏移校正方法。這涉及使印模的凸起與襯底接觸，并且在存在接觸時測量所述對準。

釋放凸起，使得接觸被移除，并且可以在使凸起再次與襯底接觸之前進行位置調節。

該校正過程花費時間。首先，必須確定移位偏移。最終的覆蓋誤差由移位偏移和工具對準誤差二者造成。移位偏移由最初凸出以便橫跨到襯底的間隙的印模造成。印模從其平坦狀態到具有凸起的狀態的這種凸出引起可僅僅以100-1000nm的精度復現的偏移。

WO 2008/087573更詳細地公開了該已知的壓印方法，并且也公開了一種改進，該改進涉及在進行位置調節的同時維持與印模的凸出部分的接觸。

圖1以簡化的形式示出了WO 2008/087573中公開的方法。

印模10由板110保持。與板110相對的是可橫向移動并且因此用作受驅動卡盤的襯底載體120。目標襯底（未示出）安裝在襯底載體120上。也存在參考載體122。參考載體122和襯底載體120可相對于彼此移動以提供所需的對準校正。

凸起在印模10中形成，并且使其與參考載體122接觸，如頂部圖像所示。凸起尺寸增加以便到達襯底載體120上的對準標記，使得對準可以被測試，如中間圖像所示。

如果需要對準，凸起尺寸（在這種情況下為凸起寬度）減小以從襯底載體釋放印模16，使得襯底載體可以移動。