[發明專利]用于在硅鍺FinFET中形成源極?漏極結的方法和相應的FinFET裝置

在審

• 申請號: 201580050695.7
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN106796954A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: V·馬赫卡奧特桑;J·J·徐;S·S·宋;M·巴達羅格魯;C·F·耶普
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 李小芳,袁逸

1.一種用于在塊狀硅(Si)上制造FinFET的方法，包括：

形成鰭堆疊，其中所述形成鰭堆疊是在塊狀Si的一部分中執行的，其中所述鰭堆疊是以鰭基以及在所述鰭基上形成硅鍺(SiGe)制程中鰭來形成的；以及

就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區域。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區域包括：

沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述外延層形成在所述SiGe制程中鰭的外表面上；以及

應用推進式退火，其中所述推進式退火被配置成使硼從所述外延層擴散到所述SiGe制程中鰭的所述區域中。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述鰭堆疊被配置成將所述SiGe制程中鰭形成為輕度摻雜SiGe制程中鰭。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延層包括硼濃度，其中所述硼濃度在從約1-E20at/cm橫跨至約2-E20at/cm3的范圍內。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭包括源極區，并且其中所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區域被配置成就地硼摻雜所述源極區的至少一部分。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的所述部分包括：

沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述外延層形成在所述源極區的至少一部分的外表面上；以及

應用推進式退火，其中所述推進式退火被配置成使硼從所述外延層擴散到所述源極區的所述至少一部分中。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭具有源極區，并且其中所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區域包括：

沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述沉積外延層將所述外延層沉積在所述源極區的外表面上；以及

應用推進式退火，其中所述推進式退火被配置成使硼從所述外延層擴散到所述源極區中。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭具有漏極區，

其中沉積所述外延層包括將所述外延層沉積在所述漏極區的外表面上，并且

其中所述推進式退火被進一步配置成將B從所述外延層推進到所述漏極區中。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭包括柵極區，并且其中所述方法進一步包括：

在所述源極區的外表面和所述漏極區的外表面上沉積所述外延層之前，

形成虛柵極，其中所述虛柵極被配置成覆蓋所述柵極區的外表面；以及

應用外延預清除以進一步暴露所述源極區的外表面和所述漏極區的外表面。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鰭堆疊包括：

將所述塊狀Si的一部分形成為制程中鰭堆疊，其中所述制程中鰭堆疊包括所述鰭基和在所述鰭基上的制程中Si鰭；以及

將所述制程中Si鰭的至少一部分轉換成所述SiGe制程中鰭，其中所述制程中Si鰭是輕度摻雜制程中Si鰭且所述SiGe制程中鰭是輕度摻雜SiGe制程中鰭。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，將所述塊狀Si的所述部分形成為鰭堆疊包括：在所述塊狀Si的表面下形成輕度摻雜Si層并且在所述輕度摻雜Si層下形成摻雜Si接地面層；以及蝕刻所述摻雜Si接地面層和所述輕度摻雜Si層以形成所述制程中鰭堆疊，其中所述鰭基包括所述摻雜Si接地面層的區域且所述制程中Si鰭包括所述輕度摻雜Si層的區域。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。

15.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鰭堆疊包括：形成具有所述鰭基和在所述鰭基上的制程中Si鰭的制程中鰭堆疊，以及將所述制程中Si鰭轉換成所述SiGe制程中鰭。