[發(fā)明專利]電壓電平移位自時控寫入?yún)f(xié)助有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580049972.2 | 申請日： | 2015-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN106716535B | 公開（公告）日： | 2019-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戴維·保羅·霍夫;埃米·庫爾卡尼;杰森·菲利浦·馬爾茲洛夫;史蒂芬·艾德華·李萊斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C5/14 | 分類號： | G11C5/14;G11C7/10;G11C7/12;G11C11/419;H03K3/356 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 宋獻(xiàn)濤 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電壓 電平 移位 寫入 協(xié)助 | ||
1.一種設(shè)備，其包括：
第一及第二全電壓電平移位器，其經(jīng)配置以分別接收第一電壓域中的自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號，并基于所述第一電壓域中的所述自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號而產(chǎn)生第二電壓域中的相應(yīng)電壓電平移位自時控中間真實(shí)與互補(bǔ)信號；
第一及第二互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS電路，其經(jīng)配置以基于所述電壓電平移位自時控中間真實(shí)與互補(bǔ)信號而產(chǎn)生所述第二電壓域中的電壓電平移位自時控三態(tài)化真實(shí)與互補(bǔ)輸出信號；以及
所述第二電壓域中的箝位電路，其包括：
第一或非門，其以所述電壓電平移位自時控中間真實(shí)信號及箝位信號作為輸入，其中所述第一或非門的輸出耦合到所述第二CMOS電路的第二n溝道MOS NMOS裝置的柵極，且所述第一或非門的所述輸出的反向耦合到所述第一CMOS電路的第一p溝道MOS PMOS裝置的柵極；以及
第二或非門，其以所述電壓電平移位自時控中間互補(bǔ)信號及所述箝位信號作為輸入，其中所述第二或非門的輸出耦合到所述第一CMOS電路的第一n溝道MOS NMOS裝置的柵極，且所述第二或非門的所述輸出的反向耦合到所述第二CMOS電路的第二p溝道MOS PMOS裝置的柵極，
其中所述箝位電路經(jīng)配置以在所述箝位信號為高時使所述電壓電平移位自時控三態(tài)化真實(shí)與互補(bǔ)輸出信號浮動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述設(shè)備耦合到所述第二電壓域中的存儲器陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述第二電壓域中的所述電壓電平移位自時控三態(tài)化真實(shí)與互補(bǔ)輸出信號經(jīng)配置以驅(qū)動用于對所述第二電壓域中的所述存儲器陣列中的存儲器位單元進(jìn)行寫入的寫入位線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在所述箝位信號為高時通過所述箝位電路防止所述第一及第二全電壓電平移位器中的瞬態(tài)開路電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號基于數(shù)據(jù)輸入信號及系統(tǒng)時鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號是由項目鎖存器或時鐘門控鎖存器產(chǎn)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號為歸零RTZ或自復(fù)位信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其經(jīng)整合到選自由以下各者組成的群組的裝置中：機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元、移動電話以及計算機(jī)。
9.一種操作電路的方法，所述方法包括
通過第一電壓域中的所述電路接收自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號；
使用第一及第二全電壓電平移位器分別由所述第一電壓域中的所述自時控真實(shí)與互補(bǔ)數(shù)據(jù)輸入信號產(chǎn)生第二電壓域中的電壓電平移位自時控中間真實(shí)與互補(bǔ)信號；
使用第一及第二互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS電路分別由所述電壓電平移位自時控中間真實(shí)與互補(bǔ)信號產(chǎn)生所述第二電壓域中的電壓電平移位自時控三態(tài)化真實(shí)與互補(bǔ)輸出信號；以及
在耦合到箝位電路的箝位信號為高時使所述電壓電平移位自時控三態(tài)化真實(shí)與互補(bǔ)輸出信號浮動，其中所述箝位電路包括：
第一或非門，其以所述電壓電平移位自時控中間真實(shí)信號及箝位信號作為輸入，其中所述第一或非門的輸出耦合到所述第二CMOS電路的第二n溝道MOS NMOS裝置的柵極，且所述第一或非門的所述輸出的反向耦合到所述第一CMOS電路的第一p溝道MOS PMOS裝置的柵極；以及
第二或非門，其以所述電壓電平移位自時控中間互補(bǔ)信號及所述箝位信號作為輸入，其中所述第二或非門的輸出耦合到所述第一CMOS電路的第一n溝道MOS NMOS裝置的柵極，且所述第二或非門的所述輸出的反向耦合到所述第二CMOS電路的第二p溝道MOS PMOS裝置的柵極。
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