[發(fā)明專利]渦旋型流體設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580049598.6
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN106715909B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 田中雄太;本田宏;梶本定明
• 申請（專利權）人: 三電控股株式會社
• 主分類號: F04C18/02
• 分類號: F04C18/02;F01C1/02;F01C19/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 韓俊

1.一種渦旋型流體設備，包括：

包括渦盤單元，該渦盤單元使在底板立設有渦卷狀的環(huán)繞件的、且在形成于環(huán)繞件的上端面的頂端密封槽中配置有頂端密封件的定渦盤及動渦盤彼此相對，來使各自的環(huán)繞件嚙合，自轉受到阻止的所述動渦盤一邊與所述定渦盤接觸一邊進行公轉，在各環(huán)繞件之間形成容積隨著公轉發(fā)生變化的密閉空間，所述渦旋型流體設備以使環(huán)繞件壁厚隨著從環(huán)繞件的中央部向外周部減小的阿基米德螺線形成所述兩個渦盤的環(huán)繞件的渦卷形狀，

其特征在于，

將兩個所述渦盤中的至少一個渦盤的環(huán)繞件外周部的精加工終點附近的環(huán)繞件壁厚設為能夠配置所述頂端密封件的最小壁厚，

在所述精加工終點附近對所述兩個渦盤中的至少定渦盤的所述頂端密封槽的螺旋形狀進行切換，從而使配置于所述頂端密封槽中的所述頂端密封件在從環(huán)繞件中央部至環(huán)繞件外周部的精加工終點附近之間處于環(huán)繞件上端面的比中央部更靠環(huán)繞件外壁側，并且在從所述精加工終點附近至頂端密封槽末端之間處于環(huán)繞件上端面的比中央部更靠環(huán)繞件內(nèi)壁側。

2.一種渦旋型流體設備，包括：

包括渦盤單元，該渦盤單元使在底板立設有渦卷狀的環(huán)繞件的、且在形成于環(huán)繞件的上端面的頂端密封槽中配置有頂端密封件的定渦盤及動渦盤彼此相對，來使各自的環(huán)繞件嚙合，自轉受到阻止的所述動渦盤一邊與所述定渦盤接觸一邊進行公轉，在各環(huán)繞件之間形成容積隨著公轉發(fā)生變化的密閉空間，所述渦旋型流體設備以使環(huán)繞件壁厚隨著從環(huán)繞件的中央部向外周部減小的阿基米德螺線形成所述兩個渦盤的環(huán)繞件的渦卷形狀，

其特征在于，

將兩個所述渦盤中的至少一個渦盤的環(huán)繞件外周部的精加工終點附近的環(huán)繞件壁厚設為能夠配置所述頂端密封件的最小壁厚，

在所述精加工終點附近對所述兩個渦盤中的至少定渦盤的所述頂端密封槽的螺旋形狀進行切換，從而使配置于所述頂端密封槽中的所述頂端密封件在從環(huán)繞件中央部至環(huán)繞件外周部的精加工終點附近之間處于環(huán)繞件上端面的大致中央部，并且在從所述精加工終點附近至頂端密封槽末端之間處于環(huán)繞件上端面的比中央部更靠環(huán)繞件內(nèi)壁側。

3.如權利要求1或2所述的渦旋型流體設備，其特征在于，

將所述兩個渦盤的環(huán)繞件外周部的精加工終點附近的環(huán)繞件壁厚設為能夠配置所述頂端密封件的最小壁厚。