[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法及記錄介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580048932.6
• 申請(qǐng)日: 2015-09-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107078052B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小前泰彰;野上孝志;吉田秀成;谷山智志;小竹繁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類號(hào): H01L21/31
• 分類號(hào): H01L21/31;C23C16/455
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;沈靜

本發(fā)明的課題在于提供一種能夠高效率地進(jìn)行處理室內(nèi)的排氣的技術(shù)。本發(fā)明的解決手段為，襯底處理裝置具有：處理室，對(duì)襯底進(jìn)行處理；處理氣體供給系統(tǒng)，向處理室內(nèi)供給處理氣體；第一排氣系統(tǒng)，與第一泵和類型不同于第一泵的第二泵連接，且對(duì)處理室內(nèi)進(jìn)行排氣；第二排氣系統(tǒng)，與第二泵連接且對(duì)處理室內(nèi)進(jìn)行排氣；以及控制部，以對(duì)第一排氣系統(tǒng)及第二排氣系統(tǒng)進(jìn)行如下控制的方式構(gòu)成：在將供給至處理室內(nèi)的處理氣體從處理室內(nèi)排出時(shí)，優(yōu)先從第二排氣系統(tǒng)對(duì)處理室內(nèi)進(jìn)行排氣，當(dāng)處理室內(nèi)的壓力達(dá)到規(guī)定壓力后，將排氣路徑從第二排氣系統(tǒng)切換成第一排氣系統(tǒng)，并從第一排氣系統(tǒng)對(duì)處理室內(nèi)進(jìn)行排氣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法及記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件(設(shè)備)的微細(xì)化及晶片大口徑化，有使處理室內(nèi)的容積增大的趨勢(shì)。若處理室內(nèi)的容積增大的話，則在將處理室內(nèi)的殘留氣體排出時(shí)會(huì)比以往更花費(fèi)時(shí)間。由此，存在成膜所需的時(shí)間與以往的工藝相比變長(zhǎng)的影響。

在下述的專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了將排氣特性不同的3種泵同時(shí)驅(qū)動(dòng)來(lái)進(jìn)行處理室內(nèi)的排氣。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平9-184482號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

若處理室內(nèi)的排氣效率低下的話，則會(huì)在排氣時(shí)花費(fèi)時(shí)間，并給生產(chǎn)率帶來(lái)不良影響。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠高效率地進(jìn)行處理室內(nèi)的排氣的技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一方案，提供一種技術(shù)，具有：

處理室，其對(duì)襯底進(jìn)行處理；

處理氣體供給系統(tǒng)，其向所述處理室內(nèi)供給處理氣體；

第一排氣系統(tǒng)，其與第一泵和類型不同于所述第一泵的第二泵連接，且對(duì)所述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣；

第二排氣系統(tǒng)，其與所述第二泵連接且對(duì)所述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣；以及

控制部，其構(gòu)成為以如下方式對(duì)所述第一排氣系統(tǒng)及所述第二排氣系統(tǒng)進(jìn)行控制：在將供給至所述處理室內(nèi)的所述處理氣體從所述處理室內(nèi)排出時(shí)，先從所述第二排氣系統(tǒng)對(duì)所述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣，當(dāng)所述處理室內(nèi)的壓力達(dá)到規(guī)定壓力后，將排氣路徑從所述第二排氣系統(tǒng)切換成所述第一排氣系統(tǒng)，并從所述第一排氣系統(tǒng)對(duì)所述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠高效率地進(jìn)行處理室內(nèi)的排氣的技術(shù)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式中的襯底處理裝置的立體透視圖。

圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式中的處理爐的垂直剖視圖。

圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式中的處理爐的水平剖視圖。

圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式中的氣體排氣系統(tǒng)的概略圖。

圖5中，(a)是表示以往例中的處理室內(nèi)的壓力變化的圖，(b)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的處理室內(nèi)的壓力變化的圖。

圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式中適用的襯底處理裝置的控制器的概略構(gòu)成圖，是用框圖表示控制器的控制系統(tǒng)的圖。

具體實(shí)施方式

在用于實(shí)施本發(fā)明的方式中，利用圖1對(duì)實(shí)施作為半導(dǎo)體器件(IC)的制造工序之一的襯底處理工序的襯底處理裝置的結(jié)構(gòu)示例進(jìn)行說(shuō)明。

如圖1所示，本發(fā)明的一實(shí)施方式的襯底處理裝置10具備殼體101。為了將由硅等構(gòu)成的襯底即晶片200向殼體101內(nèi)外搬送，使用晶片盒(pod)110來(lái)作為晶片載體(襯底收納器)。