[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法及記錄介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580048932.6 | 申請日: | 2015-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN107078052B | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小前泰彰;野上孝志;吉田秀成;谷山智志;小竹繁 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;沈靜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 半導(dǎo)體器件 制造 方法 記錄 介質(zhì) | ||
1.一種襯底處理裝置,其特征在于,具有:
熱壁型的處理室,其對沿垂直方向排列成多層的襯底進行處理;
加熱機構(gòu),其以包圍所述處理室的方式設(shè)置,將整個所述處理室內(nèi)加熱成均勻或規(guī)定的溫度分布;
處理氣體供給系統(tǒng),其向所述處理室內(nèi)供給包括原料氣體和反應(yīng)氣體的處理氣體;
排氣管,其與所述處理室的側(cè)壁的一部分連接,對所述處理室內(nèi)的環(huán)境氣體進行排氣;
第一排氣系統(tǒng),其具有從所述排氣管以直角分支的第一排氣管和設(shè)于所述第一排氣管的中途的第一泵,并在下游側(cè)與類型不同于所述第一泵的第二泵連接,且對所述處理室內(nèi)進行排氣;
第二排氣系統(tǒng),其具有與所述排氣管連接的第二排氣管,與所述第二泵連接,且對所述處理室內(nèi)進行排氣;以及
控制部,其構(gòu)成為以如下方式對所述第一排氣系統(tǒng)及所述第二排氣系統(tǒng)進行控制:在將供給至所述處理室內(nèi)的所述處理氣體從所述處理室內(nèi)排出時,先從所述第二排氣系統(tǒng)對所述處理室內(nèi)進行排氣,當(dāng)所述處理室內(nèi)的壓力達到規(guī)定壓力后,將排氣路徑從所述第二排氣系統(tǒng)切換成所述第一排氣系統(tǒng),并從所述第一排氣系統(tǒng)對所述處理室內(nèi)進行排氣,
所述第一排氣系統(tǒng)在比所述第一泵靠上游側(cè)的位置包含排氣閥,所述第二排氣系統(tǒng)在比所述第二泵靠上游側(cè)的位置包含APC閥,
使相對于所述處理室內(nèi)的所述襯底供給原料氣體的工序、和相對于所述襯底供給反應(yīng)氣體的工序以中間隔著對所述處理室內(nèi)的氣體進行排氣的工序的方式交替進行規(guī)定次數(shù)而在所述襯底上成膜,在所述進行排氣的工序中,所述控制部通過以打開所述排氣閥并關(guān)閉所述APC閥的方式進行控制,而將所述排氣路徑從所述第二排氣系統(tǒng)切換到所述第一排氣系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,與所述第二泵相比,所述第一泵在低壓區(qū)域內(nèi)的排氣效率更高,
在所述進行排氣的工序的期間,所述處理室內(nèi)的壓力持續(xù)降低。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述第一泵是軸流泵,所述第二泵是干式真空泵。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述第一泵設(shè)置在從所述處理室離開規(guī)定距離的位置上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述規(guī)定距離為1m以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述第一泵設(shè)置在所述襯底處理裝置的殼體內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述襯底處理裝置還具備壓力傳感器,該壓力傳感器設(shè)于所述排氣管,并用于檢測所述處理室內(nèi)的壓力,
所述排氣閥是閘閥,
所述控制部基于所述壓力傳感器控制由所述APC閥進行的壓力調(diào)整動作。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述第一泵與所述第二泵相比設(shè)置在離所述處理室更近的位置上,
所述第一排氣管及所述第二排氣管朝向所述第二泵而向下方延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述規(guī)定壓力為將所述處理室內(nèi)殘留的所述處理氣體和副產(chǎn)物除去至不會給所述第一泵帶來不良影響的程度的10~100Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述控制部構(gòu)成為以如下方式對所述APC閥及所述閘閥進行控制:當(dāng)所述處理氣體的排氣開始時,打開所述APC閥并關(guān)閉所述閘閥,當(dāng)所述處理室內(nèi)的壓力達到所述規(guī)定壓力時,關(guān)閉所述APC閥并打開所述閘閥。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理裝置,其特征在于,所述控制部構(gòu)成為以如下方式進行控制:在所述進行排氣的工序中,向所述處理室內(nèi)供給非活性氣體,并且,先從所述第二排氣系統(tǒng)對所述處理室內(nèi)進行排氣,當(dāng)所述處理室內(nèi)的壓力達到規(guī)定壓力后,將排氣路徑從所述第二排氣系統(tǒng)切換成所述第一排氣系統(tǒng),并從所述第一排氣系統(tǒng)對所述處理室內(nèi)進行排氣。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社國際電氣,未經(jīng)株式會社國際電氣許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580048932.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





