[發明專利]用于監測輻射源的裝置、輻射源、監測輻射源的方法、器件制造方法

有效

• 申請號: 201580048811.1
• 申請日: 2015-08-11
• 公開（公告）號: CN107077073B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: E·W·伯加特;趙創新
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

用于監測用于光刻設備的輻射源中的蒸氣或來自蒸氣的沉積物的電容性測量。測量可以用于控制輻射源的操作。在一個特定布置中，來自多個電容器的測量用于在由蒸氣引起的電容上的改變與由來自蒸氣的沉積物引起的電容上的改變之間進行區分。

相關申請的交叉引用

本申請要求2014年9月11日提交的歐洲申請14184445.6的權益，并且該申請通過引用全部合并于此。

技術領域

本申請的實施例涉及用于監測用于光刻設備的輻射源的裝置、輻射源、監測輻射源的方法和器件制造方法。該實施例特別涉及使用一個或多個電容器來測量輻射源中的蒸氣的濃度或來自蒸氣的沉積物的量。輻射源的控制可以基于測得的蒸氣的濃度或沉積物的量來實施。

背景技術

光刻被廣泛地認為是集成電路(IC)和其他器件和/或結構的制造中的關鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻做出的特征的尺寸變得更小，光刻正變成用于使得微型IC或其他器件和/或結構能夠被制造的更加至關重要的因素。

光刻設備是將期望的圖案施加到襯底上(通常是到襯底的目標部分上)的機器。光刻設備可以例如用在IC的制造中。在該實例中，可以使用備選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置來生成待形成在IC的各個層上的電路圖案。該圖案可以被轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括裸片的一部分，一個或若干裸片)上。圖案的轉移典型地憑借成像到設置在襯底上的輻射敏感材料層(抗蝕劑)上。一般情況下，單個襯底將包含被相繼地圖案化的相鄰目標部分的網絡。

為了縮短曝光波長并因此降低最小可印刷大小，已提出了使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射源典型地被配置成輸出大約5nm至20nm(例如13.5nm或約13nm或6.5nm至6.8nm)的輻射波長。EUV輻射的使用可以構成朝向實現小特征印刷的重要步驟。這樣的輻射被稱作極紫外或軟x射線，并且可能的源包括例如激光產生等離子體源、放電等離子體源或來自電子存儲環的同步輻射。

發明內容

在生成等離子體的輻射源(諸如激光產生等離子體源和放電等離子體源)中，燃料可以被蒸發以產生等離子體。燃料可以包括例如Sn、Li、Gd或Tb。燃料的蒸氣可以被稱為燃料蒸氣。可以提供氣流以用于從輻射源中去除燃料蒸氣。燃料或燃料蒸氣可以與氣流中的氣體起反應，以產生燃料反應產物蒸氣。在燃料包括Sn的情況中，反應產物可以包括錫烷。

燃料蒸氣或燃料反應產物蒸氣會冷凝到輻射源中的表面上，形成燃料或燃料反應產物的沉積物。這些沉積物會以各種方式降低輻射源的性能。例如，沉積物可能會形成在用于提供用于去除燃料蒸氣的氣流的氣體輸送通道中。沉積物可能會減小氣體輸送通道中的橫截面面積，由此阻礙氣流。沉積物可能會形成在污染物阱的通道結構中，污染物阱被配置成防止污染物從在其中創建等離子體的源室傳遞到源室下游的區域。沉積物可能會阻塞EUV輻射，并由此降低輻射源的輸出功率。

難以預測沉積物將在哪里積聚和以什么速率積聚。收集關于沉積物的信息目前僅能在輻射源離線時進行。收集這樣的信息因而降低了輻射源的可用性。因為不能在輻射源在線時獲得關于沉積物的詳細信息，所以可能會使輻射源比所必要的更頻繁地離線用于清潔。使輻射源比所必要的更頻繁地離線還降低了輻射源的可用性。

在輻射源中從等離子體創建輻射是復雜的過程。需要控制輻射源的各種操作參數以實現高且穩定的輸出功率。可以監測輸出功率的變化，并將其用作控制輻射源的操作參數的控制器的輸入。然而，輸出功率的監測到的變化僅提供有限的信息。因而控制器對監測到的變化的響應不是最佳的。

本發明的目的是至少部分解決上面所討論的現有技術的問題中的一個或多個。