[發明專利]密封膜的形成方法和密封膜

有效

• 申請號: 201580048757.0
• 申請日: 2015-10-29
• 公開（公告）號: CN107075680B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 山下雅充;藤元高佳;森誠樹
• 申請（專利權）人: 東麗工程株式會社
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;B32B7/02;H01L21/316;H01L31/048
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;張志楠

本發明提供能夠穩定地形成具有高阻隔性的密封膜的密封膜形成方法。具體地說，本發明涉及在基材(2)上進行緩沖層(M1)和密度高于緩沖層(M1)的阻隔層(M2)的交替成膜而形成密封膜的密封膜的形成方法，該方法具有下述工序：在基材(2)的表面形成第1緩沖層(M1a)的第1緩沖層成膜工序；在第1緩沖層(M1)的表面形成阻隔層(M2)的第1阻隔層成膜工序；以及在第1阻隔層形成工序中形成的阻隔層(M2)的表面形成第2緩沖層(M1b)的第2緩沖層成膜工序，與第2緩沖層(M1b)中的在與基材(2)的厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在該厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，第1緩沖層(M1a)中的在與上述厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1。

【技術領域】

本發明涉及為了防止水分浸入到基材而在基材上形成密封膜的密封膜形成方法和在基材上形成的密封膜。

【背景技術】

近年來使用了帶密封膜的膜，其是在塑料膜的表面形成了用于例如抗氧化、防止水分浸入等目的的密封膜而得到的。

在這樣的帶密封膜的膜中，如下述專利文獻1所示，通過按照密合性良好的緩沖層和對水分浸入的阻隔性良好的阻隔層交替層積的方式在膜上進行成膜，由此在膜上形成兼顧可撓性和阻隔性這兩種性質的密封膜。另外，在形成這樣的密封膜時，主要通過等離子體CVD法進行緩沖層和阻隔層的層積。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

專利文獻1：日本特開2013-185207號公報

【發明內容】

【發明所要解決的課題】

但是，在上述的薄膜形成裝置中，所形成的密封膜的阻隔性可能變差。具體地說，在通過等離子體CVD法形成密封膜的情況下，如圖5所示，在基材2有基底層等的高度差時，按照沿著該高度差的方式形成緩沖層M1和阻隔層M2，相對于在基材2的厚度方向成膜的部分的厚度(圖5中的厚度A)，沿著高度差的部分(在與基材2的厚度方向傾斜的方向成膜的部分)的厚度(圖5中的厚度B)傾向于變薄。這種情況下，有可能在基材2的高度差部分的表面沒有正常地形成緩沖層M1，由于在該沒有正常成膜的部分也未能固定其后形成的阻隔層，因而具有密封膜的阻隔性顯著變差的問題。

本發明是鑒于上述問題而做出的，其目的在于提供一種密封膜的形成方法，該方法能夠穩定地形成具有高阻隔性的密封膜。

【解決課題的手段】

為了解決上述課題，本發明的密封膜的形成方法是在基材上進行緩沖層和密度高于該緩沖層的阻隔層的交替成膜而形成密封膜的密封膜形成方法，該方法的特征在于，其具有下述工序：在基材的表面形成上述緩沖層的第1緩沖層成膜工序；在第1緩沖層的表面形成上述阻隔層的第1阻隔層成膜工序，該第1緩沖層是上述第1緩沖層形成工序中形成的上述緩沖層；以及在第1阻隔層的表面形成上述緩沖層的第2緩沖層成膜工序，該第1阻隔層是上述第1阻隔層形成工序中形成的上述阻隔層，與第2緩沖層中的在與基材厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在該厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，上述第1緩沖層中的在與上述厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1，第2緩沖層為在上述第2緩沖層形成工序中形成的上述緩沖層。

利用上述密封膜的形成方法，與第2緩沖層中的在與基材厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在該厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，第1緩沖層中的在與上述厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1，第2緩沖層為在第2緩沖層形成工序中形成的上述緩沖層，由此，在基材上的不平坦的部分也能夠可靠地形成第1緩沖層，因而能夠穩定地形成具有高阻隔性的密封膜。

另外，優選上述緩沖層和上述阻隔層通過等離子體CVD法形成，上述第1緩沖層成膜工序中的成膜壓力高于上述第2緩沖層成膜工序中的成膜壓力。