[發明專利]密封膜的形成方法和密封膜

有效

• 申請號: 201580048757.0
• 申請日: 2015-10-29
• 公開（公告）號: CN107075680B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 山下雅充;藤元高佳;森誠樹
• 申請（專利權）人: 東麗工程株式會社
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;B32B7/02;H01L21/316;H01L31/048
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;張志楠

1.一種密封膜的形成方法，其是在基材上進行緩沖層和密度高于該緩沖層的阻隔層的交替成膜而形成密封膜的密封膜形成方法，該方法的特征在于，其具有下述工序：

第1緩沖層成膜工序，在基材的表面形成上述緩沖層，

第1阻隔層成膜工序，在第1緩沖層的表面形成上述阻隔層，該第1緩沖層是在上述第1緩沖層形成工序中形成的上述緩沖層，以及

第2緩沖層成膜工序，在第1阻隔層的表面形成上述緩沖層，該第1阻隔層是在上述第1阻隔層形成工序中形成的上述阻隔層，

與第2緩沖層中的在與基材厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在該厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，上述第1緩沖層中的在與上述厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1，該第2緩沖層是在上述第2緩沖層形成工序中形成的上述緩沖層。

2.如權利要求1所述的密封膜的形成方法，其特征在于，上述緩沖層和上述阻隔層通過CVD法形成，上述第1緩沖層成膜工序中的成膜壓力高于上述第2緩沖層成膜工序中的成膜壓力。

3.一種密封膜，其是在基材上進行緩沖層和密度高于該緩沖層的阻隔層的交替成膜而形成的密封膜，該密封膜的特征在于，其具有下述層：

在基材的表面形成的第1緩沖層，該第1緩沖層為上述緩沖層，

在上述第1緩沖層的表面形成的第1阻隔層，該第1阻隔層為上述阻隔層，以及

在上述第1阻隔層的表面使用與上述第1緩沖層相同的原料形成的第2緩沖層，該第2緩沖層為上述緩沖層，

與上述第2緩沖層中的在與基材厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在該厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，上述第1緩沖層中的在與上述厚度方向傾斜的方向成膜的部分的膜厚相對于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1。

4.如權利要求3所述的密封膜，其特征在于，上述第1緩沖膜的密度低于上述第2緩沖膜的密度。

5.如權利要求4所述的密封膜，其特征在于，上述緩沖層和上述阻隔層是通過CVD法成膜的，上述第1緩沖層是在成膜壓力高于上述第2緩沖層的成膜壓力的條件下成膜的。