[發明專利]利用含鎵的P型氧化物半導體的有機發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201580048537.8
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN106796995B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 張震;金訂基;克里斯托夫·文森特·艾維
• 申請（專利權）人: 慶熙大學校產學協力團
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明公開利用含鎵的P型氧化物半導體的有機發光二極管及其制造方法。本發明的有機發光二極管包括陽極、空穴注入層、空穴輸送層、發光層、電子輸送層及陰極，其特征在于所述空穴注入層為含Ga的P型氧化物半導體。本發明能夠實現高效率，能夠實現低溫及低費用制造。

技術領域

本發明涉及利用含鎵的P型氧化物半導體的有機發光二極管及其制造方法。

背景技術

目前在為制造高效率的有機發光二極管而正在進行開發。

其中空穴的移動是非常重要的部分。典型的空穴注入層為聚(3，4-乙撐二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鈉(Poly(3，4-ethylenedioxythiophene)poly(st yrenesulfonate)；PEDOT：PSS)層，但在空穴的注入與移動及有機發光二極管的效率方面具有局限性。

并且，將PEDOT：PSS作為空穴注入層的情況下需要退火(annealin g)時間，因此具有工序時間加長的問題。

另外，在研究用氧化物半導體替代空穴注入層。其原因在于氧化物半導體移動度高且透明，因此能夠容易實現透明顯示器，而且被評價為能夠解決現有技術局限性的技術。

另外，由于在常溫具有非晶質(amorphous)或多晶質(polycrystalli ne)結構，因此不需要另外進行用于形成晶粒(grain)的熱處理過程，適用有機發光二極管時具有良好的特性。

氧化物半導體因氧空位(oxygen-vacancies)與鋅填隙(zinc interstiti als)而主要被視為n型，缺點是難以p型摻雜。

如上，由于目前已知的氧化物半導體大部分顯現n型(n-type)特性，因此制得具有p型(p-type)特性的透明氧化物半導體的情況下，在用作有機發光二極管的空穴注入層方面具有諸多好處，因此目前需要進行研究，通過調節摻雜條件或開發新物質等找到p型透明氧化物半導體材料。

發明內容

技術問題

為解決上述技術問題，本發明提供一種利用含鎵的P型氧化物半導體的有機發光二極管及其制造方法。

本領域技術人員可通過下述實施例導出本發明的其他目的。

技術方案

為解決上述技術問題，本發明的一個實施例提供一種有機發光二極管，包括陽極、空穴注入層、空穴輸送層、發光層、電子輸送層及陰極，其特征在于所述空穴注入層為含Ga的P型氧化物半導體。

所述P型氧化物半導體包括向CuS及SnO摻入的所述Ga。

所述Ga的范圍可以是整個組成的10至70百分比(原子百分比)。

所述P型氧化物半導體用選自下述化學式1、化學式2及化學式3的一種以上表示，

[化學式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化學式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化學式3]

CuSGa_xSnO，

所述化學式1、化學式2或化學式3中0＜x＜1。

所述空穴注入層可以經過了在預設溫度進行熱處理，或者經過了UV處理。

所述空穴注入層的熱處理溫度的范圍可以是150至250℃。