[發明專利]利用含鎵的P型氧化物半導體的有機發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201580048537.8
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN106796995B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 張震;金訂基;克里斯托夫·文森特·艾維
• 申請（專利權）人: 慶熙大學校產學協力團
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種有機發光二極管，包括陽極、空穴注入層、空穴輸送層、發光層、電子輸送層及陰極，其特征在于：

所述空穴注入層為含向CuS及SnO摻入Ga的P型氧化物半導體，

所述P型氧化物半導體用選自下述化學式1、化學式2及化學式3的一種以上表示，

[化學式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化學式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化學式3]

CuSGa_xSnO，

所述化學式1、化學式2或化學式3中0<x<1。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管，其特征在于：

所述Ga的范圍為整個組成的10至70原子百分比。

3.根據權利要求1所述的有機發光二極管，其特征在于：

所述空穴注入層經過了在預設溫度進行熱處理，或者經過了UV處理。

4.根據權利要求3所述的有機發光二極管，其特征在于：

所述空穴注入層的熱處理溫度的范圍為150至250℃。

5.一種有機發光二極管，包括陽極、空穴注入·輸送層、發光層、電子輸送層及陰極，其特征在于：

所述空穴注入·輸送層是含向CuS及SnO摻入Ga的P型氧化物半導體，

所述P型氧化物半導體用選自下述化學式1、化學式2及化學式3的一種以上表示，

[化學式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化學式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化學式3]

CuSGa_xSnO，

所述化學式1、化學式2或化學式3中0<x<1。

6.一種有機發光二極管制造方法，其特征在于，包括：

通過真空沉積工序在基板上形成陽極的步驟；

通過溶液工序在所述陽極上形成空穴注入層的步驟；

通過真空沉積工序在所述空穴注入層上形成空穴輸送層的步驟；

通過真空沉積工序在所述空穴輸送層上形成發光層的步驟；

通過真空沉積工序在所述發光層上形成電子輸送層的步驟；及

在所述電子輸送層上形成陰極的步驟，

所述空穴注入層由P型氧化物半導體混合到溶劑的溶液成膜形成，

所述P型氧化物半導體包括向CuS及SnO摻入的Ga，

所述P型氧化物半導體用選自下述化學式1、化學式2及化學式3的一種以上表示，

[化學式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化學式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化學式3]

CuSGa_xSnO，

所述化學式1、化學式2或化學式3中0<x<1。

7.根據權利要求6所述的有機發光二極管制造方法，其特征在于：

所述Ga的范圍為整個組成的10至70原子百分比。

8.根據權利要求6所述的有機發光二極管制造方法，其特征在于：

向乙二醇混合5至50體積百分比的氰化甲烷、去離子水、乙醇、環己烷及甲苯中至少一個得到所述溶劑。

9.根據權利要求6所述的有機發光二極管制造方法，其特征在于，所述P型氧化物半導體通過依次執行以下步驟形成：

a）制備含Cu、S、M及Ga的前驅體溶液的步驟，其中，M為選自SnO、ITO、IZTO、IGZO及IZO的一種以上化合物；

b）將所述前驅體溶液涂布到基板上的步驟；以及

c）熱處理涂層的步驟。