[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201580048051.4
• 申請日: 2015-09-25
• 公開（公告）號: CN106605292B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 平山祐介;宮川正章
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/205;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

相對于等離子體保護腔室的內部的構件，防止變質和消耗。等離子體處理方法包括成膜工序、等離子體處理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅氣體和還原性氣體這兩者的等離子體，在腔室的內部的構件的表面形成含硅膜。在等離子體處理工序中，在含硅膜形成于構件的表面之后，利用處理氣體的等離子體對輸入到腔室的內部的被處理體進行等離子體處理。在去除工序中，在等離子體處理后的被處理體輸出到腔室的外部之后，利用含氟氣體的等離子體從構件的表面去除含硅膜。

技術領域

本發明的各種方面和實施方式涉及等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

背景技術

在半導體的制造工藝中，廣泛使用了執行以薄膜的堆積或蝕刻等為目的的等離子體處理的等離子體處理裝置。作為等離子體處理裝置，可列舉出進行例如薄膜的堆積處理的等離子體CVD(化學氣相沉積，Chemical Vapor Deposition)裝置、進行蝕刻處理的等離子體蝕刻裝置等。

不過，在等離子體處理裝置中，配置于腔室內的構件(以下適當稱為“腔室內構件”)在各種等離子體處理的之際暴露于處理氣體的等離子體，因此，要求耐等離子體性。對于這一點，在例如專利文獻1中公開有如下內容：在對被處理體進行等離子體處理之前，將氧與SiF₄的氣體流量比設為1.7以上而供給含有氧的含硅氣體，在腔室內構件的表面形成含氟的氧化硅膜作為保護膜，從而提高了腔室內構件的耐等離子體性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利第6071573號說明書

發明內容

發明要解決的問題

然而，在含氟的氧化硅膜作為保護膜形成于腔室內構件的表面的現有技術中，處理氣體的等離子體所致的氧化硅膜的蝕刻量變多。

即、在現有技術中，將氧與SiF₄的氣體流量比設為1.7以上而供給含有氧的含硅氣體。另外，使含有氧的含硅氣體的等離子體中的氧自由基和Si自由基在腔室內的空間中反應而生成硅氧化物，使生成的硅氧化物作為氧化硅膜堆積于腔室內構件。堆積于腔室內構件上的氧化硅膜含有F等殘留鹵素，因此，存在被處理氣體的等離子體蝕刻了氧化硅膜的膜厚以上的情況。因此，在現有技術中，腔室內構件的表面就變質和消耗，無法充分地保護腔室內構件。

用于解決問題的方案

本發明的一技術方案的等離子體處理方法包括成膜工序、等離子體處理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅氣體和還原性氣體這兩者的等離子體，在腔室的內部的構件的表面形成含硅膜。在等離子體處理工序中，在所述含硅膜形成于所述構件的表面之后，利用處理氣體的等離子體對輸入到所述腔室的內部的被處理體進行等離子體處理。在去除工序中，在等離子體處理后的所述被處理體輸出到所述腔室的外部之后，利用含氟氣體的等離子體從所述構件的表面去除所述含硅膜。

發明的效果

根據本發明的各種技術方案和實施方式，可實現能夠相對于等離子體保護腔室的內部的構件、防止變質和消耗的等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

附圖說明

圖1是表示適用于本實施方式的等離子體處理方法的等離子體處理裝置的概略剖視圖。

圖2是表示由本實施方式的等離子體處理裝置進行的等離子體處理方法的處理的流程的一個例子的流程圖。

圖3是用于說明本實施方式中的腔室內的沉積物量的測定點的一個例子的圖。