[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201580048051.4
• 申請日: 2015-09-25
• 公開（公告）號: CN106605292B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 平山祐介;宮川正章
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/205;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種等離子體處理方法，其特征在于，

該等離子體處理方法包括：

預成膜工序，在該預成膜工序中，利用含碳氣體的等離子體在腔室內部的構件的表面形成含碳膜；

成膜工序，在該成膜工序中，利用含硅氣體和還原性氣體這兩者的等離子體在所述構件的表面形成含硅膜；

等離子體處理工序，在該等離子體處理工序中，在所述含硅膜形成于所述構件的表面之后，利用處理氣體的等離子體對輸入到所述腔室的內部的被處理體進行等離子體處理；

去除工序，在該去除工序中，在等離子體處理后的所述被處理體輸出到所述腔室的外部之后，利用含氟氣體的等離子體從所述構件的表面去除所述含硅膜，

其中，在所述成膜工序中，所述還原性氣體相對于所述含硅氣體的流量比是0.2以上。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述含硅氣體含有SiF₄、SiCl₄以及SiBr₄中的至少任一者。

3.根據權利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述還原性氣體含有H₂、CH₄以及C₃H₆中的至少任一者。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述含硅氣體還含有稀有氣體。

5.根據權利要求4所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述稀有氣體是Ar或He。

6.一種等離子體處理方法，其特征在于，

該等離子體處理方法包括：

預成膜工序，在該預成膜工序中，利用含碳氣體的等離子體在腔室內部的構件的表面形成含碳膜，

成膜工序，在該成膜工序中，利用含硅氣體和還原性氣體這兩者的等離子體在所述構件的表面形成含硅膜；

等離子體處理工序，在該等離子體處理工序中，在所述含硅膜形成于所述構件的表面之后，利用處理氣體的等離子體對輸入到所述腔室的內部的被處理體進行等離子體處理；

去除工序，在該去除工序中，在等離子體處理后的所述被處理體輸出到所述腔室的外部之后，利用含氟氣體的等離子體從所述構件的表面去除所述含硅膜。

7.根據權利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述含碳氣體含有以C_xH_yF_z表示的氣體，式中，x、y和z表示整數，(z-y)÷x是2以下。

8.根據權利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述含碳氣體含有CH₄、C₄F₈、CHF₃、CH₃F以及C₂H₄中的至少任一者。

9.根據權利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述去除工序包括：第1去除工序，在該第1去除工序中，利用所述含氟氣體的等離子體從所述構件的表面去除所述含硅膜；第2去除工序，在該第2去除工序中，利用含氧氣體的等離子體從所述構件的表面去除所述含碳膜。