[發明專利]磁盤用基板的制造方法和磁盤用基板

在審

• 申請號: 201580047901.9
• 申請日: 2015-09-14
• 公開（公告）號: CN106605264A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 俵義浩
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 龐東成

技術領域

本發明涉及具有研磨處理的磁盤用基板的制造方法和磁盤用基板。

背景技術

目前，在個人計算機、筆記本型個人計算機、或者DVD(Digital Versatile Disc，數字多功能光盤)記錄裝置等中內置有用于數據記錄的硬盤裝置。特別是，在筆記本型個人計算機等以移動性為前提的設備中所用的硬盤裝置中，使用在基板設有磁性層的磁盤，利用在磁盤的面上略微懸浮的磁頭(DFH(Dynamic Flying Height，動態飛行高度)磁頭)在磁性層記錄或讀取磁記錄信息。該磁盤的基板具有與金屬基板等相比難以發生塑性變形的性質，因而適合使用玻璃基板。而且，為了利用磁頭穩定地進行磁記錄信息的讀寫，要求盡可能減小磁盤的玻璃基板的表面凹凸。

為了減小磁盤用玻璃基板的表面凹凸，進行玻璃基板的研磨處理。在用于將玻璃基板制成最終制品的精密的研磨中，使用包含二氧化硅(SiO₂)磨粒的微細研磨磨粒的研磨劑。對于這樣的研磨劑來說，為了提高研磨處理后的玻璃基板的表面品質，通過進行過濾或離心分離而統一為規定的尺寸來作為研磨劑進行使用。另外，在研磨處理時，一邊循環包含二氧化硅磨粒的漿料一邊用于研磨的情況下，對研磨中所用的漿料進行過濾后，在研磨中進行再使用。

例如，已知一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其在玻璃基板的主表面的使用二氧化硅磨粒的研磨工序的最終研磨工序中，使用最小捕捉粒徑為1μm以下的過濾器進行過濾，利用該過濾后的包含緩沖劑的研磨用漿料(包含二氧化硅磨粒)(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-079948號公報

發明內容

發明所要解決的課題

然而，在上述研磨處理后的玻璃基板的主表面有時會附著來自研磨處理中所用的漿料中的二氧化硅磨粒的板狀異物等異物。該板狀異物在玻璃基板上的附著是近年來隨著計測技術的發展而被認識到的。附著于玻璃基板的板狀異物在磁盤的主表面上形成表面凹凸，因而，在懸浮距離極短的磁頭中存在難以進行穩定的磁記錄信息的讀寫的不良情況。另外，該板狀異物在最終清洗處理中也無法容易地除去。若使用清洗力高的清洗液，則會在玻璃基板的主表面的平滑面形成凹凸，作為磁盤用玻璃基板是不優選的。

該板狀異物是與近似球形的二氧化硅磨粒的平均粒徑(d50)相比尺寸更大的異形的異物，因而為了將二氧化硅磨粒的顆粒尺寸統一為規定的范圍，在研磨處理前有時使用過濾器對二氧化硅磨粒進行過濾。此處，平均粒徑表示基于使用激光衍射/散射法的體積分布所測定的中值粒徑。但是，在這樣的過濾中，過濾器容易發生堵塞，因而無法高效地制作二氧化硅磨粒。而且，由于板狀異物變形而通過過濾器，因此無法充分除去板狀異物，在過濾后的二氧化硅磨粒中會殘存有板狀異物，在使用包含二氧化硅磨粒的漿料進行研磨處理后的玻璃基板的主表面有時依然會附著有板狀異物。另外，即便欲通過離心分離將板狀異物之類的大的二氧化硅磨粒除去，也無法充分除去板狀異物，在經研磨處理后的玻璃基板的主表面有時依然會附著有板狀異物。因此，存在玻璃基板的研磨處理后的成品率降低的問題。這種問題不僅限于玻璃基板，在金屬基板(鋁基板)的情況下也同樣發生。并且，這些問題在平均粒徑為10nm～60nm、更優選為10～30nm的粒徑非常微小的研磨磨粒的情況下特別顯著。

于是，本發明的目的在于提供一種能夠提高基板的研磨處理后的成品率的磁盤用基板的制造方法以及磁盤用基板。

用于解決課題的方案

本發明人對能夠除去板狀異物等的新方法進行了研究，以替代在研磨處理前容易發生堵塞、無法充分除去上述板狀異物的過濾器及無法充分除去上述板狀異物的離心分離。于是，本發明人著眼于二氧化硅磨粒在電場中發生電介質極化，引起由電介質極化產生的介電電泳的介電電泳力與顆粒直徑的三次方成正比，由此發明了以下的方法。本發明包括以下的方式。

(方式1)

一種磁盤用基板的制造方法，其特征在于，該磁盤用基板的制造方法包括下述研磨處理，即，用一對研磨墊夾持基板，向上述研磨墊與上述基板之間供給包含電介質材料的研磨磨粒的漿料，使上述研磨墊與上述基板相對滑動，由此對上述基板的兩主表面進行研磨，

在上述研磨處理前，進行除去處理，即，上述漿料在由電極形狀而產生的電場強度的分布不均勻的交流電場中通過，利用介電電泳將上述漿料中存在的異物與研磨磨粒分離，除去上述異物。即，上述除去處理利用了具有上述研磨磨粒的平均粒徑的顆粒與粒徑大于該平均粒徑的異物(大徑顆粒)分別受到的介電電泳力之差。