[發明專利]發光二極管設備

在審

• 申請號: 201580047213.2
• 申請日: 2015-08-05
• 公開（公告）號: CN106716635A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 托馬斯·費希廷格爾;奧利佛·德爾諾夫舍克
• 申請（專利權）人: 愛普科斯公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,李建航

1.一種發光二極管設備，其具有至少一個載體(2)和至少一個發光二極管(3)，所述發光二極管設置在所述載體上，其中所述載體(2)具有多個上下疊加設置的聚合物層(4，5，6)，并且其中將電器件(7，17，18，19)嵌入所述聚合物層(4，5，6)中的至少一個聚合物層中。

2.根據上一項權利要求所述的發光二極管設備，其中所述載體(2)具有最上方的聚合物層、最下方的聚合物層和至少一個設置在它們之間的內部的聚合物層(4，5，6)，其中所述電器件(7，17，18，19)至少嵌入所述內部的聚合物層(6)中。

3.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述電器件(7，17，18，19)全方位地由所述載體(2)的聚合物材料包圍。

4.根據上一項權利要求所述的發光二極管設備，其中所述器件(2)既不嵌入所述最上方的聚合物層中也不嵌入最下方的所述聚合物層(4，5)中。

5.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其具有至少一個用于所述電接觸所述電器件的過孔(10)，其中所述過孔(10)引導穿過至少一個聚合物層(4，5，6)。

6.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述電器件(7，18)構成用于防靜電放電保護。

7.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述電器件(7，17，18)構成為壓敏電阻、構成為硅半導體續流二極管、構成為聚合物組件、構成為熱傳感器、構成為過流保護器、構成為陶瓷的多層電容器、構成為電感、構成為電阻或構成為驅動芯片。

8.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中嵌入有所述器件(7，17，18，19)的所述聚合物層(6)具有與所述載體(2)的至少一個其他的聚合物層(4，5)不同的材料特性。

9.根據上一項權利要求所述的發光二極管設備，其中嵌入有所述器件(7，17，18，19)的所述聚合物層(7，17，18，19)具有與所述載體(2)的至少一個其他的聚合物層(4，5)不同的機械強度。

10.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述發光二極管(3)至少部分地沉入所述載體(2)中的腔中。

11.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述電器件(7，17，18，19)關于橫向方向相對于所述發光二極管(3)居中地設置。

12.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述電器件(7，17，18，19)關于所述聚合物層(4，5，6)的堆疊方向居中地設置在所述載體(2)中。

13.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其具有多個發光二極管(3)，所述發光二極管設置在所述載體(2)上。

14.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其具有另一載體(15)，所述另一載體設置在所述載體(2)上，其中所述發光二極管(3)設置在所述另一載體(15)上。

15.根據上述權利要求中任一項所述的發光二極管設備，其中所述另一載體(15)構成為陶瓷載體。